IR擴充60V StrongIRFET MOSFET系列

發(fā)布時(shí)間:2014-7-7 11:49    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: StrongIRFET , MOSFET
以標準和高性能功率封裝為工業(yè)應用提供極低導通電阻

國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多種標準和高性能功率封裝。全新MOSFET適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應用,包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車(chē) (LEV) 逆變器、直流電機驅動(dòng)器、鋰離子電池組保護和開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 二次側同步整流應用等。



經(jīng)過(guò)擴充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封裝和表面貼裝封裝,其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式 (ME) DirectFET封裝,可提供大電流密度,有效縮減整體系統尺寸并降低成本,適用于空間受限的大功率工業(yè)設計。

全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款器件,均配有可提升低頻率應用性能的極低導通電阻、極高的載流能力、軟體二極管和有助于提高噪聲免疫力的3V典型閥值電壓。該系列的每款器件都完全通過(guò)業(yè)界最高雪崩電流級別的雪崩測試,能夠為要求嚴格的工業(yè)應用提供最堅固耐用的解決方案。

IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“IR廣泛的60V StrongIRFET MOSFET產(chǎn)品系列具有適合工業(yè)市場(chǎng)的低導通電阻和大電流能力,并提供多種封裝選擇,使設計師能夠基于性?xún)r(jià)比標準靈活選擇最適合其應用的器件!

與DirectFET系列的其它器件一樣,全新IRF7580M中罐式封裝器件提供能改善可靠性的無(wú)鍵合線(xiàn)設計。DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 的所有要求,例如提供完全不含鉛的物料清單,因此非常適合長(cháng)生命周期的設計。而其它同類(lèi)高性能封裝則采用含鉛的裸片貼裝,雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定第7(a) 項豁免條款,但這項豁免將于2016年到期。

規格        

采用表面貼裝封裝的60V StrongIRFET
器件編號BVDSS25ºC時(shí)的IDVGS為10V時(shí)的最大導通電阻VGS為10V時(shí)的Qg封裝
IRF7580M60V116A3.6120中罐式 (ME)  DirectFET
IRFS7530-7P240A1.4256D2-PAK-7
IRFS7534-7P240A1.9200D2-PAK-7
IRFS7530195A2274D2-PAK
IRFS7534195A2.4180D2-PAK
IRFH7085100A3.2110PQFN 5x6 (B)
IRFR7540110A4.885D-PAK
IRFS7537195A3.3142D2-PAK
IRFS7540110A5.188D2-PAK
IRFH754585A5.273PQFN 5x6 (E)
IRFR754671A7.958D-PAK

采用穿孔式封裝的60V StrongIRFET
器件編號BVDSS25ºC時(shí)的IDVGS為10V時(shí)的最大導通電阻VGS為10V時(shí)的Qg封裝
IRFB753060V195A2274TO-220
IRFP75302274TO-247
IRFB75342.4186TO220
IRFB75373.3142TO-220
IRFP75373.3142TO-247
IRFB7540110A5.188TO-220
IRFB754585A5.975
IRFB754658A7.358

產(chǎn)品現正接受批量訂單。相關(guān)數據和SPICE模型,請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com。
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