|
日本DIN-TEK半導體（www.din-tek.jp）是日本著(zhù)名的功率半導體器件供應商，主要供應工業(yè)領(lǐng)域、3C消費類(lèi)領(lǐng)域中AC-DC電源、DC-DC電源、及工控主板等系統中所必需的MOSFET、二極管、肖特基等產(chǎn)品。并為多個(gè)日本頂級半導體廠(chǎng)商提供功率器件制程開(kāi)發(fā)技術(shù)支持，專(zhuān)利技術(shù)共享支持等，DIN-TEK半導體新近推出的DT系列最新技術(shù)超級結低壓溝槽MOSFET就是與多個(gè)日本著(zhù)名半導體廠(chǎng)商合作開(kāi)發(fā)而成，DT系列超級結低壓溝槽MOSFET能最大程度地減少MOSFET損耗以進(jìn)一步提升MOSFET的性能。超級結工藝能夠提高擊穿電壓，其原理是在N型層建立垂直方向的P型支柱層從而形成一個(gè)在P-N結面具有統一電場(chǎng)分布的耗盡層。相比于傳統的中高壓MOSFET產(chǎn)品所具有的導通電阻值，超級結構造實(shí)現了較低的導通電阻。另外，DT系列超級結低壓溝槽MOSFET采用了一項用于形成P型支柱層的單層外延(single-epi) 技術(shù)。熱分散會(huì )導致P-N結面的摻雜濃度發(fā)生變化，而目前應用最為普遍的多層外廷工藝對于這種變化非常敏感，但是利用單層外延工藝可以實(shí)現具有均勻側壁的 p型支柱層。因此，單層外延工藝能夠提供更高的性能，也實(shí)現了幾何外形尺寸的縮小化 (圖 1)。. 另外，由于形成P型支柱層只需執行一次外延晶體生長(cháng)，所以單層外延工藝縮短了生產(chǎn)時(shí)間。進(jìn)一步降低了成本，提高了性?xún)r(jià)比，具有極大的競爭優(yōu)勢，其產(chǎn)品價(jià)格甚至比臺灣產(chǎn)MOSFET更便宜。 
DT系列超級結低壓溝槽MOSFET具有多種不同封裝，VDSS電壓從10V-250V，導通電阻最低至2毫歐，更有助于提升應用中的產(chǎn)品性能。它適用于各種電氣和電子設備中的AC-DC和DC-DC 轉換器等應用場(chǎng)合，比如：移動(dòng)設備適配器、游戲機、IT 設備、通信系統、視聽(tīng)設備、無(wú)線(xiàn)電力傳輸、LED照明、太陽(yáng)能/風(fēng)能逆變電源、白色家電和小型工業(yè)設備。 欲就該系列產(chǎn)品聯(lián)系DIN-TEK半導體，請訪(fǎng)問(wèn)： http://www.din-tek.jp. 郵件：sales@din-tek.jp 欲了解其他產(chǎn)品、設計工具和銷(xiāo)售聯(lián)系人的信息，請聯(lián)絡(luò )DIN-TEK半導體中國區代理商：深圳市尚鼎芯科技有限公司 郵件：sales@sunking-group.com |
