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高性?xún)r(jià)比的SONOS嵌入式非易失性存儲器能為下一代智能卡、微控制器和物聯(lián)網(wǎng)應用帶來(lái)更高的良率及可擴充產(chǎn)能的工藝技術(shù) 賽普拉斯半導體公司與聯(lián)華電子公司（UMC）聯(lián)合宣布，UMC獲得了賽普拉斯SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式閃存的知識產(chǎn)權（IP）的使用權，用于其55納米工藝技術(shù)節點(diǎn)。賽普拉斯的SONOS技術(shù)能更方便地集成非易失性存儲單元，同時(shí)具有無(wú)與倫比的產(chǎn)能擴充能力，以適應未來(lái)需要。主要的應用領(lǐng)域包括可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應用、微控制器和邏輯主導（logic-dominated）的產(chǎn)品。 賽普拉斯的55納米SONOS嵌入式非易失性存儲器（NVM）工藝與其他嵌入式NVM方案相比具有顯著(zhù)的優(yōu)勢。要嵌入標準的CMOS工藝，SONOS需要的掩膜層數更少。具體來(lái)說(shuō)，SONOS只需3到4層額外的掩膜，而其他嵌入式閃存技術(shù)一般需要11到12層。當添加到基準CMOS工藝制程中時(shí)，SONOS 不會(huì )改變標準的器件特性或模式，能保持已有的設計IP。SONOS本身具有高良率和可靠的特性、10年的數據保存期、10萬(wàn)次編程/擦寫(xiě)壽命，以及強大的抗軟錯誤能力。UMC在2013年曾驗證過(guò)賽普拉斯的S65™ 65納米 SONOS工藝技術(shù)。賽普拉斯和UMC已展示了將SONOS延伸到更小節點(diǎn)的能力，以加速未來(lái)IP的開(kāi)發(fā)。 UMC負責特殊技術(shù)開(kāi)發(fā)的副總裁S.C. Chien說(shuō)：“我們擁有眾多的半導體IP生態(tài)合作伙伴，UMC計劃建立更多的增值技術(shù)平臺，以適應未來(lái)低功耗、高集成度IC設計的需求，例如IoT和可穿戴設備。我們很高興與賽普拉斯合作，為客戶(hù)帶來(lái)55納米SONOS技術(shù)的諸多優(yōu)勢，包括穩定的性能、良好的成本和久經(jīng)考驗的高良率�；赨MC在特殊工藝方面已有的成功經(jīng)驗，例如RF, BCD, HV, CIS 和 eFlash等等，我們計劃利用賽普拉斯易于集成的55納米非易失性存儲IP來(lái)滿(mǎn)足不同的應用需求�！� 賽普拉斯技術(shù)與知識產(chǎn)權事業(yè)部副總裁Sam Geha說(shuō)：“賽普拉斯一直致力于與UMC這樣的業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)開(kāi)展合作，將SONOS IP作為嵌入式非易失性存儲的首選方案。55納米SONOS工藝生逢其時(shí)，可以滿(mǎn)足UMC各種客戶(hù)強烈的市場(chǎng)需求。許多新產(chǎn)品均面向快速成長(cháng)的市場(chǎng)，包括智能卡、銀行卡、可穿戴設備和物聯(lián)網(wǎng)等，均可受益于SONOS的低成本、高性能和高可靠性�！� |
