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新器件具有E系列600V和650V MOSFET的相同優(yōu)點(diǎn)，具有高效率和高功率密度 Vishay推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)點(diǎn)。新器件的低導通電阻和柵極電荷在高功率、高性能的消費類(lèi)產(chǎn)品、照明應用和ATX/桌面PC機開(kāi)關(guān)電源(SMPS)里將起到節能的重要作用。 
Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超級結技術(shù)，為采用高性能平面技術(shù)的Vishay現有500V D系列器件補充了高效率產(chǎn)品。這些25A器件的導通電阻為145mΩ ，提供TO-220 (SiHP25N50E)、TO-247AC (SiHG25N50E)和細引線(xiàn)的TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E)等多種封裝選項，這些低外形封裝適用于薄型消費類(lèi)產(chǎn)品。 新的MOSFET具有57nC的超低柵極電荷，柵極電荷與到導通電阻乘積也較低，該參數是功率轉換應用里MOSFET的優(yōu)值系數(FOM)。與Vishay的600V和650V E系列器件類(lèi)似，500V技術(shù)具有低導通電阻和優(yōu)化的開(kāi)關(guān)速度，能夠提高功率因數校正(PFC)、雙開(kāi)關(guān)正激轉換器和反激轉換器應用里的效率和功率密度， 器件符合RoHS，可承受雪崩和開(kāi)關(guān)模式里的高能脈沖，保證極限值通過(guò)100% UIS測試。 器件規格表：
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