Vishay發(fā)布3顆新的600V EF系列快恢復二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件具有低反向恢復電荷和導通電阻，在工業(yè)、電信、計算和可再生能源應用中可提高可靠性，并且節能。
今天推出的這些600V快恢復二極管MOSFET采用第二代超級結技術(shù)制造，充實(shí)了Vishay現有的標準E系列器件，使公司有更多的器件可用于類(lèi)似移相 全橋和LLC半橋的零電壓開(kāi)關(guān)(ZVA)/軟開(kāi)關(guān)拓撲。 在這些應用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低十倍的優(yōu)勢，提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿，有助于避免直通擊穿和熱擊穿。 21A SiHx21N60EF有四種封裝，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導通電阻和低柵極電荷。這意味著(zhù)在太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器和通信電源、ATX/Silver box計算機開(kāi)關(guān)電源、焊接設備、UPS、電池充電器和半導體生產(chǎn)設備中的高功率、高頻開(kāi)關(guān)應用里，可實(shí)現極低的導通和開(kāi)關(guān)損耗。 這些器件能夠承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，保證通過(guò)100%的UIS測試。這些MOSFET符合RoHS，無(wú)鹵素。 器件規格表：
新的EF系列MOSFET現可提供樣品，將在2015年2季度實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十八周到二十周。 |
