|
—采用最新一代工藝，可提供低導通電阻和擴展的安全工作區— 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數據中心和通信基站所用的工業(yè)設備電源線(xiàn)路上的開(kāi)關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。 
TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過(guò)同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區擴展了76%[3]，使其適合線(xiàn)性模式工作。而且降低導通電阻和擴大安全工作區的線(xiàn)性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數量。此外，其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。 新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。 未來(lái)，東芝將繼續擴展其功率MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)，通過(guò)減少損耗來(lái)提高電源效率，并幫助降低設備功耗。 應用 - 數據中心和通信基站等通信設備的電源 - 開(kāi)關(guān)電源（高效率DC-DC轉換器等） 特性 - 具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導通電阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V） - 寬安全工作區 - 高額定結溫：Tch（最大值）＝175℃ 主要規格 （除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）
[1] 在設備運行時(shí)，在不關(guān)閉系統的情況下導通和關(guān)斷系統部件的電路。 [2] 截至2023年6月的東芝調查。 [3] 脈沖寬度：tw＝10ms，VDS＝48V 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： TPH3R10AQM https://toshiba-semicon-storage. ... ail.TPH3R10AQM.html 如需了解東芝MOSFET產(chǎn)品的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： MOSFET https://toshiba-semicon-storage. ... roduct/mosfets.html 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品在線(xiàn)分銷(xiāo)商網(wǎng)站的供貨情況，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： TPH3R10AQM https://toshiba-semicon-storage. ... eck.TPH3R10AQM.html | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
