Vishay發(fā)布600V EF系列快速體二極管N溝道功率MOSFET的兩款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢復電荷和導通電阻，能夠在工業(yè)、電信、計算和可再生能源應用中提高可靠性，節約能源。
今天推出的600V快速體二極管MOSFET采用第二代超級結技術(shù)制造，很好地補充了Vishay現有的標準E系列元器件，擴充類(lèi)似相移橋和LLC轉換器半橋等可用于零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)/軟開(kāi)關(guān)拓撲的產(chǎn)品。 SiHx28N60EF和SiHx33N60EF的反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低10倍以上，可在這些應用中提高可靠性。低反向恢復電荷使器件能夠更快地再次隔離完全擊穿電壓，有助于避免因擊穿和熱過(guò)應力而失效。另外，減小Qrr使器件的反向恢復損耗低于標準的MOSFET。 28A SiHx28N60EF和33A SiHx33N60EF有4種封裝，分別具有123Ω和98Ω的超低導通電阻及柵極電荷，能夠在太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器和通信電源系統、ATX/銀盒PC開(kāi)關(guān)電源、焊接設備、UPS、電池充電器、半導體生產(chǎn)設備，以及LED和HID照明等高功率、高性能的開(kāi)關(guān)電源應用里實(shí)現極低的傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗，從而節約能源。 這些器件可承受雪崩和整流模式里的高能脈沖，保證極限值100%通過(guò)UIS測試。MEOSFET符合RoHS，無(wú)鹵素。 器件規格表：
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