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經(jīng)優(yōu)化用于減少開(kāi)關(guān)、導通及驅動(dòng)器功耗以提升能效 安森美半導體（ON Semiconductor）針對數據網(wǎng)絡(luò )、電信和工業(yè)應用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴大其寬廣的產(chǎn)品陣容。 
這些器件能提供低得令人難以置信的導通電阻RDS(on) 值，從而將導通損耗降至最低并提升整體工作能效水平。它們還有低至2164皮法(pF)的門(mén)極電容(Ciss)，確保保持盡可能低的驅動(dòng)損耗。 安森美半導體新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT 和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40伏(V)，最大導通電阻值(Vgs為10 V時(shí))分別為0.74毫歐(mΩ)、0.9 mΩ和2.8 mΩ，連續漏電流分別為352安(A)、315 A和127 A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60 V，最高導通電阻分別為1.2 mΩ、 1.5 mΩ 和 4.7 mΩ，而相關(guān)的連續漏電流為287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的這兩種器件的額定工作結溫都高達175 ˚C，從而為工程師的設計提供更大的熱余裕。安森美半導體將推出采用更多的電阻值和不同的封裝，如micro8FL、DPAK 和 TO220來(lái)擴大此產(chǎn)品線(xiàn)。 安森美半導體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō)：“OEM的工程團隊不斷致力于創(chuàng )建更高能效的電力系統設計，同時(shí)占用更少用板空間。我們新加的器件擴大了我們廣泛的功率MOSFET產(chǎn)品陣容，為客戶(hù)提供高性能的器件，采用緊湊的、高熱能效的封裝，幫助他們達到更高能效的設計目標�！� 封裝和定價(jià) NTMFS5C404NL、 NTMFS5C410NL、 NTMFS5C442NL、 NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL都采用緊湊的、符合RoHS的SO8FL (DFN-8)封裝，每10,000片批量的單價(jià)從0.42美元起。 |
