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英飛凌推出全新的CoolMOS C7系列超結（SJ）MOSFET家族。該600 V系列相比CoolMOS CP可減少50%的開(kāi)關(guān)損耗，在PFC、TTF和其他硬切換拓撲結構中可實(shí)現和GaN類(lèi)似的性能水平。CoolMOS C7在業(yè)內率先實(shí)現1 Ω/mm2的面比電阻（RDS(ON)*A），它進(jìn)一步擴展了英飛凌的最低每封裝RDS(ON)產(chǎn)品組合，可支持客戶(hù)進(jìn)一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具備超低開(kāi)關(guān)損耗，適合大功率開(kāi)關(guān)電源（SMPS）應用——比如服務(wù)器、電信、太陽(yáng)能以及需要提高效率、降低組件成本（BoM）和總擁有成本（TCO）的工業(yè)應用。 CoolMOS C7可降低超大型數據中心和電信基站等要求提高效率和降低TCO的應用的開(kāi)關(guān)損耗。CoolMOS C7可使PFC和LLC拓撲的效率分別提高0.3%-0.7%和0.1%，這有利于顯著(zhù)降低總擁有成本。對于2.5 kW的服務(wù)器PSU，使用C7 600 V MOSFET可將因PSU能量損失導致的能源成本降低10%左右。 在企業(yè)服務(wù)器等關(guān)注組件和其他成本的應用中，CoolMOS C7 600 V器件可幫助降低磁性元件成本。由于柵極電荷和輸出電容顯著(zhù)降低，C7的開(kāi)關(guān)頻率是CoolMOS CP的兩倍，但效率僅稍遜于CoolMOS CP。這有助于最大限度縮小磁性元件尺寸，降低組件總成本。比如，開(kāi)關(guān)頻率從65 kHz增大一倍至130 kHz時(shí)，磁性元件成本可降低30%之多。 CoolMOS C7 600 V家族產(chǎn)品將在兩個(gè)300毫米晶圓廠(chǎng)制造，可為客戶(hù)提供供貨保障。該家族產(chǎn)品囊括RDS(ON)值和封裝各不相同的眾多型號，首發(fā)型號包括采用極具創(chuàng )新性的TO-247 4管腳封裝的型號。這種4管腳封裝它可消除因快速瞬變導致的電源電感電壓降，從而將滿(mǎn)載效率最多提高0.4%。 英飛凌副總裁兼AC/DC產(chǎn)品線(xiàn)總經(jīng)理Peter Wawer表示：“作為英飛凌高壓MOSFET產(chǎn)品組合的一部分，全新CoolMOS C7 600V家族是英飛凌預計2016年初推出的GaN器件的重要‘奠基石’。依托已實(shí)現批量生產(chǎn)的現成、可靠的技術(shù)，CoolMOS C7器件可最大限度降低開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現高達200 kHz的開(kāi)關(guān)頻率，而英飛凌的GaN技術(shù)將進(jìn)一步擴大頻率范圍，支持新型拓撲�！� 與CoolMOS C7 600 V形成互補、搭載行業(yè)標準管腳的英飛凌全新2EDN7524 EiceDRIVER IC，擁有兩個(gè)獨立的非隔離式低側柵極驅動(dòng)器，每個(gè)驅動(dòng)器可支持5 A的源匯峰值電流。兩個(gè)通道都能實(shí)現典型的5 ns上升和下降時(shí)間，而1 ns的通道間延時(shí)匹配方便設置同步切換，使總驅動(dòng)電流增加一倍。雖然電流增大，但輸出級的RDS(ON)非常低，這可最大限度降低驅動(dòng)器的功耗——即便使用非常小的柵極電阻、或者不用任何外部柵極電阻。因為驅動(dòng)器IC能兼容控制和啟用輸入端高達-10 VDC的電壓，所以它能有效應對接地反彈，提高系統可靠性。 供貨情況 CoolMOS C7 600 V MOSFET的首發(fā)型號包括采用TO-220、TO-247和TO-247 4管腳封裝， RDS(ON)從40 mΩ到180 mΩ不等的型號。采用TO-220 FP、DPAK、D2PAK、ThinPAK封裝，以及具備不同RDS(ON)值的型號，將在2015年第三季度推出。采用DSO-8封裝的2EDN7524 MOSFET驅動(dòng)器將在2015年8月開(kāi)始量產(chǎn)。更多封裝和功能選項將在2015年第四季度提供。如欲進(jìn)一步了解CoolMOS C7 600 V，請點(diǎn)擊 www.infineon.com/C7-600V 。如欲進(jìn)一步了解2EDN7524 MOSFET驅動(dòng)器，請點(diǎn)擊 www.infineon.com/2EDN 。 |
