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美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延時(shí)DRAM (RLDRAM○R 3內存)—一種高帶寬內存技術(shù)，能更有效的傳輸網(wǎng)絡(luò )信息。視頻內容、移動(dòng)應用和云計算的蓬勃發(fā)展，對網(wǎng)絡(luò )基礎設施提出了更高效的要求，以便在線(xiàn)傳輸大量數據。與前幾代產(chǎn)品相比，美光新的RLDRAM 3內存進(jìn)一步提高了存儲密度和速度，同時(shí)最大限度地減少了延遲，降低了功耗，在網(wǎng)絡(luò )應用中性能更好。 對于現有的RLDRAM 2，美光將繼續提供最高水平的技術(shù)支持，并計劃長(cháng)期生產(chǎn)該產(chǎn)品。此外，美光正將其RLDRAM 2產(chǎn)品組合轉入更先進(jìn)的50nm工藝，提高系統性能，降低功耗。 美光新的RLDRAM 3內存的主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)有： 低延時(shí)：tRC不足10納秒，是業(yè)界最低的隨機存取延時(shí) 高密度：576Mb-1Gb，靈活性高，可用于多種設計 高速率：達2133Mb/s，數據存取速度更快 高能效：1.2V IO和1.35V內核電壓，更省電 美光維持著(zhù)龐大的合作伙伴網(wǎng)絡(luò )，使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網(wǎng)絡(luò )設備集成。美光與其合作伙伴展開(kāi)了廣泛合作，為客戶(hù)提供量身定制的解決方案，優(yōu)化網(wǎng)絡(luò )系統性能。作為這個(gè)價(jià)值生態(tài)系統的一部分，美光目前合作的領(lǐng)先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3內存可集成到其產(chǎn)品系列中。 Altera組件產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)資深總監Luanne Schirrmeister說(shuō)：“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數據通路，針對美光內存設有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內存的發(fā)布讓我們的內存帶寬可高達1600 Mbps，為行業(yè)內最高速度，大幅降低了延時(shí)。美光新的存儲產(chǎn)品搭配Altera新的內存接口架構是一項重要技術(shù)成果，是我們與美光多年技術(shù)合作的一項巔峰之作�！� Xilinx應用和技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)資深總監Rina Raman說(shuō)：“Xilinx 7系列FPGA應用于最高級的網(wǎng)絡(luò )設備，用于滿(mǎn)足全世界對帶寬無(wú)止盡的需求。我們與美光合作，支持其新的RLDRAM 3技術(shù)，讓我們的客戶(hù)能夠開(kāi)發(fā)網(wǎng)絡(luò )平臺，來(lái)滿(mǎn)足最嚴格的基礎設施需求�！� 產(chǎn)品可用性 美光預計將在2011年上半年開(kāi)始對其RLDRAM 3進(jìn)行抽樣，目前正與客戶(hù)合作，征求其對RLDRAM 3內存設計的意見(jiàn)。此外，美光預計將在2010年第四季度開(kāi)始對其50nm RLDRAM 2產(chǎn)品進(jìn)行抽樣。 |
