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SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）：為同步動(dòng)態(tài)隨機存取內存，前綴的Synchronous告訴了大家這種內存的特性，也就是同步。1996年底，SDRAM開(kāi)始在系統中出現，不同于早期的技術(shù)，SDRAM是為了與中央處理器的計時(shí)同步化所設計，這使得內存控制器能夠掌握準備所要求的數據所需的準確時(shí)鐘周期，因此中央處理器從此不需要延后下一次的數據存取。舉例而言，PC66 SDRAM以66 MT/s的傳輸速率運作；PC100 SDRAM以100 MT/s的傳輸速率運作；PC133 SDRAM以133 MT/s的傳輸速率運作，以此類(lèi)推。 SDRAM亦可稱(chēng)為SDR SDRAM（Single Data Rate SDRAM），Single Data Rate為單倍數據傳輸率，SDR SDRAM的核心、I/O、等效頻率皆相同，舉例而言，PC133規格的內存，其核心、I/O、等效頻率都是133MHz。而Single Data Rate意指SDR SDRAM在1個(gè)周期內只能讀寫(xiě)1次，若需要同時(shí)寫(xiě)入與讀取，必須等到先前的指令執行完畢，才能接著(zhù)存取。 DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：為雙信道同步動(dòng)態(tài)隨機存取內存，是新一代的SDRAM技術(shù)。別于SDR（Single Data Rate）單一周期內只能讀寫(xiě)1次，DDR的雙倍數據傳輸率指的就是單一周期內可讀取或寫(xiě)入2次。在核心頻率不變的情況下，傳輸效率為SDR SDRAM的2倍。第一代DDR內存Prefetch為2bit，是SDR的2倍，運作時(shí)I/O會(huì )預取2bit的資料。舉例而言，此時(shí)DDR內存的傳輸速率約為266～400 MT/s不等，像是DDR 266、DDR 400都是這個(gè)時(shí)期的產(chǎn)品。 DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）：為雙信道兩次同步動(dòng)態(tài)隨機存取內存。DDR2內存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的兩倍），DDR2的I/O頻率是DDR的2倍，也就是266、333、400MHz。舉例：核心頻率同樣有133～200MHz的顆粒，I/O頻率提升的影響下，此時(shí)的DDR2傳輸速率約為533～800 MT/s不等，也就是常見(jiàn)的DDR2 533、DDR2 800等內存規格。 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機存取內存。DDR3內存Prefetch提升至8 bit，即每次會(huì )存取8 bits為一組的數據。DDR3傳輸速率介于 800～1600 MT/s之間。此外，DDR3 的規格要求將電壓控制在1.5V，較DDR2的1.8V更為省電。DDR3也新增ASR（Automatic Self-Refresh）、SRT（Self-Refresh Temperature）等兩種功能，讓內存在休眠時(shí)也能夠隨著(zhù)溫度變化去控制對內存顆粒的充電頻率，以確保系統數據的完整性。 DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達2133～3200 MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數據組的設計，各個(gè)Bank Group具備獨立啟動(dòng)操作讀、寫(xiě)等動(dòng)作特性，Bank Group 數據組可套用多任務(wù)的觀(guān)念來(lái)想象，亦可解釋為DDR4 在同一頻率工作周期內，至多可以處理4 筆數據，效率明顯好過(guò)于DDR3。 另外DDR4增加了DBI（Data Bus Inversion）、CRC（Cyclic Redundancy Check）、CA parity等功能，讓DDR4內存在更快速與更省電的同時(shí)亦能夠增強信號的完整性、改善數據傳輸及儲存的可靠性。 |
