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使用6英寸晶圓的碳化硅基氮化鎵技術(shù)實(shí)現高容量、低成本GaN應用 Qorvo公司今日宣布，已成功地將專(zhuān)有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)擴展用于在6英寸晶圓上生產(chǎn)單片微波集成電路(MMIC)。預計從4英寸過(guò)渡到6英寸晶圓，大約能使Qorvo公司的碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)能力增加一倍，并且有利于降低制造成本 - 對價(jià)格實(shí)惠的射頻器件生產(chǎn)，能起到顯著(zhù)的推進(jìn)作用。 “在6英寸晶圓上實(shí)現碳化硅基氮化鎵單片微波集成電路，為顯著(zhù)提高生產(chǎn)能力和成本效益鋪平了道路”，Qorvo公司的基礎設施和國防產(chǎn)品部(IDP)總裁James Klein表示�！斑@是一個(gè)重要的里程碑，鞏固了Qorvo在商業(yè)和國防市場(chǎng)提供一流工藝和GaN產(chǎn)品的領(lǐng)導地位�！� Qorvo成功地證明，其高產(chǎn)、X波段功率放大器(PA)單片微波集成電路(MMIC)的QGaN25生產(chǎn)工藝可成功地從4英寸擴展到6英寸碳化硅基氮化鎵晶圓。這同樣有助于將公司的所有碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)工藝轉換到6英寸晶圓，柵極長(cháng)度范圍為0.15 um至0.50 um，涵蓋整個(gè)微波至mmW應用領(lǐng)域。預計將于2016年實(shí)現全面生產(chǎn)。 12瓦X波段的點(diǎn)對點(diǎn)MMIC功率放大器，符合80%以上的直流和射頻收益率要求，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。這一工藝可行性為高速生產(chǎn)商用收發(fā)器基站(BTS)和點(diǎn)對點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電、CATV及國防產(chǎn)品奠定了基礎。 晶圓尺寸擴展進(jìn)一步鞏固了其作為美國國防部制造電子局認可的1A類(lèi)供應商（1A Trusted Source）的領(lǐng)導地位。Qorvo于2014年圓滿(mǎn)完成DPA Title III碳化硅基氮化鎵項目，是首個(gè)達到制造成熟度(MRL)9級的公司，表明其高性能制造工藝可以投入全面生產(chǎn)。 美國國防部的制造成熟度評估(MRA)確保制造、生產(chǎn)和質(zhì)量要求能夠滿(mǎn)足作戰任務(wù)需求。該過(guò)程確保產(chǎn)品或系統從工廠(chǎng)順利過(guò)渡到現場(chǎng)，為客戶(hù)提供最高的價(jià)值，并滿(mǎn)足全部性能、成本和產(chǎn)能目標。 |
