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在模擬電路中，對電磁干擾特別敏感，經(jīng)常碰到的就是開(kāi)關(guān)電源，它的反饋信號就是模擬信號，很容易受到它自身的開(kāi)關(guān)信號干擾，所以在LAYOUT時(shí)要特別注意這一點(diǎn)，否則做出來(lái)的電源，輕則紋波太大，重則不能工作。 反饋回路受到的干擾一般分為兩種：傳導與輻射。針對傳導，在元器件布局時(shí)就要注意了，不要將反饋回路糾結在開(kāi)關(guān)信號中，反饋信號中的地線(xiàn)，從輸出端引出，不要就近原則。讓反饋回路獨立，遠離其他路徑。如下圖。(此圖變壓器初級地線(xiàn)有問(wèn)題) 關(guān)于輻射干擾，我認為就是電流變化，在其周?chē)a(chǎn)生電磁場(chǎng)，最終輻射出去。所以電流環(huán)路要盡量小，輻射出去的干擾就越小。往往有些元器件開(kāi)關(guān)瞬間會(huì )產(chǎn)生最強的電磁干擾，因為其電流變化特別大，所以干擾特別強。電流變化環(huán)路就是干擾源、電流的突變地方就是最強干擾源!下面就以BUCK拓撲結構為例，其電流環(huán)有輸入環(huán)、功率開(kāi)關(guān)環(huán)、整流環(huán)、輸出環(huán) 正常工作時(shí)，輸入環(huán)與輸出環(huán)的電流不會(huì )突變，功率開(kāi)關(guān)環(huán)與整流環(huán)會(huì )交替進(jìn)行，所以這兩個(gè)環(huán)中的五個(gè)元器件有部分元器件的電流會(huì )突變。輸入電容、開(kāi)關(guān)管、肖特基二極管，這三個(gè)元器件會(huì )在功率開(kāi)關(guān)環(huán)與整流環(huán)交替時(shí)，電流發(fā)生突變。所以在布局布線(xiàn)時(shí)，優(yōu)先考慮這三個(gè)元器件的走線(xiàn)，其他環(huán)路次之。電流環(huán)盡量小，優(yōu)先布局布線(xiàn)電流突變元器件。 再看第一副圖，它的拓撲為正激式，正激式其實(shí)也是由BUCK演變而來(lái)，增加了隔離的功能�？聪聢D，正激式中電流突變的幾個(gè)元器件：輸入電容、變壓器、開(kāi)關(guān)管、采樣電阻以及次級回路的肖特基二極管。黃色箭頭線(xiàn)標記功率管開(kāi)時(shí)的電流走向，采樣電阻之后應單獨接到輸入電容的地。這些元器件環(huán)路要獨立，其他路徑盡量不要與其共用回路。 |
