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提高效率和節能是家電應用中首要的問(wèn)題。三相無(wú)刷直流電機因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應用在家電設備中以及很多其他應用中。此外，由于采用了電子換向器代替機械換向裝置，三相無(wú)刷直流電機被認為可靠性更高。 標準的三相功率級(power stage)被用來(lái)驅動(dòng)一個(gè)三相無(wú)刷直流電機，如圖1所示。功率級產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)，為了使電機很好地工作，這個(gè)電場(chǎng)必須保持與轉子磁場(chǎng)之間的角度接近90°。六步序列控制產(chǎn)生6個(gè)定子磁場(chǎng)向量，這些向量必須在一個(gè)指定的轉子位置下改變。霍爾效應傳感器掃描轉子的位置。為了向轉子提供6個(gè)步進(jìn)電流，功率級利用6個(gè)可以按不同的特定序列切換的功率MOSFET。下面解釋一個(gè)常用的切換模式，可提供6個(gè)步進(jìn)電流。 MOSFET Q1、Q3和Q5高頻(HF)切換，Q2、Q4和Q6低頻(LF)切換。當一個(gè)低頻MOSFET處于開(kāi)狀態(tài)，而且一個(gè)高頻MOSFET 處于切換狀態(tài)時(shí)，就會(huì )產(chǎn)生一個(gè)功率級。 步驟1) 功率級同時(shí)給兩個(gè)相位供電，而對第三個(gè)相位未供電。假設供電相位為L(cháng)1、L2，L3未供電。在這種情況下，MOSFET Q1和Q2處于導通狀態(tài)，電流流經(jīng)Q1、L1、L2和Q4。 步驟2）MOSFET Q1關(guān)斷。因為電感不能突然中斷電流，它會(huì )產(chǎn)生額外電壓，直到體二極管D2被直接偏置，并允許續流電流流過(guò)。續流電流的路徑為D2、L1、L2和Q4。 步驟3）Q1打開(kāi)，體二極管D2突然反偏置。Q1上總的電流為供電電流(如步驟1)與二極管D2上的恢復電流之和。 圖1：三相逆變器拓撲結構圖。 圖2所示MOSFET器件的截面圖，顯示出其中的體-漏二極管。在步驟2，電流流入到體-漏二極管D2(見(jiàn)圖1)，該二極管被正向偏置，少數載流子注入到二極管的區和P區。 圖2：MOSFET器件的截面圖，電流流經(jīng)其內部的體二極管。 當MOSFET Q1導通時(shí)，二極管D2被反向偏置， N區的少數載流子進(jìn)入P+體區，反之亦然。這種快速轉移導致大量的電流流經(jīng)二極管，從N-epi到P+區，即從漏極到源極。電感L1對于流經(jīng)Q2和Q1的尖峰電流表現出高阻抗。Q1表現出額外的電流尖峰，增加了在導通期間的開(kāi)關(guān)損耗。圖4a描述了MOSFET的導通過(guò)程。 為改善在這些特殊應用中體二極管的性能，研發(fā)人員開(kāi)發(fā)出具有快速體二極管恢復特性MOSFET。當二極管導通后被反向偏置，反向恢復峰值電流Irrm較小，完成恢復所需要的時(shí)間更短(見(jiàn)圖3)。 圖3：具有快速體二極管恢復特性MOSFET，反向恢復峰值電流較小，恢復時(shí)間縮短。 我們對比測試了標準的MOSFET和快恢復MOSFET。ST推出的STD5NK52ZD(SuperFREDmesh系列)放在Q2(LF)中，如圖4b所示。在Q1 MOSFET(HF)的導通工作期間，開(kāi)關(guān)損耗降低了65%。采用STD5NK52ZD時(shí)效率和熱性能獲得很大提升(在不采用散熱器的自由流動(dòng)空氣環(huán)境下，殼溫從60°C降低到50°C)。在這種拓撲中，MOSFET內部的體二極管用作續流二極管，采用具有快速體二極管恢復特性MOSFET更為合適。 圖4：a) Q2采用標準MOSFET的開(kāi)狀態(tài)操作； b) Q2采用ST公司的STD5NK52ZD MOSFET開(kāi)狀態(tài)操作。 SuperFREDmesh技術(shù)彌補了現有的FDmesh技術(shù)，具有降低導通電阻，齊納柵保護以及非常高的dv/dt性能，并采用了快速體-漏恢復二極管。N溝道520V、1.22歐姆、4.4A STD5NK52ZD可提供多種封裝，包括TO-220、DPAK、I2PAK和IPAK封裝。該器件為工程師設計開(kāi)關(guān)應用提供了更大的靈活性。其他優(yōu)勢包括非常高的dv/dt，經(jīng)過(guò)100%雪崩測試，具有非常低的本征電容、良好的可重復制造性，以及改良的ESD性能。此外，與其他可選模塊解決方案相比，使用分立解決方案還能在PCB上靈活定位器件，從而實(shí)現空間的優(yōu)化，并獲得有效的熱管理，因而這是一種具有成本效益的解決方案。 |
