ST推出新款超結MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

發(fā)布時(shí)間:2016-8-17 14:57    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 功率晶體管 , 超結MOSFET
意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管,其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結MOSFET。



電視和PC等設備常用的開(kāi)放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵,導致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現象,TO-220FP寬爬電間距封裝是這類(lèi)應用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規封裝時(shí),需要鑄封、引線(xiàn)成形、套管或密封等特殊工藝,這款新封裝將引腳間距擴至4.25mm,讓電源廠(chǎng)商能夠滿(mǎn)足現行安全標準,將現場(chǎng)電源故障率降至最低,而無(wú)需使用這些附加的防電弧工藝,從而簡(jiǎn)化了制造過(guò)程,提高了生產(chǎn)效率。

在提供優(yōu)異的防電弧功能的同時(shí),TO-220FP爬電還保留了深受市場(chǎng)歡迎的TO-220FP的出色電特性。此外,相似的外觀(guān)尺寸還可以簡(jiǎn)化安裝問(wèn)題,確保符合現有安裝流程。

TO-220FP寬爬電間距封裝是意法半導體與其客戶(hù)——韓國知名電源廠(chǎng)商SoluM的合作開(kāi)發(fā)成果。SoluM 正在使用這款優(yōu)異封裝開(kāi)發(fā)穩健性和成本效益高于競品的電源解決方案。

意法半導體TO-220FP寬爬電功率晶體管目前進(jìn)入量產(chǎn)準備階段,支持一家全球主導電視廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括四款完全達標的600V低導通電阻RDS(ON) MDmesh™ M2 MOSFET晶體管,額定電流8A至34A。1500V STFH12N150K5和1200V STFH12N120K5 MDmesh K5產(chǎn)品預計將于2016年第三季度前參加相關(guān)認證測試。

詳情訪(fǎng)問(wèn):www.st.com/mosfet.

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