借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

發(fā)布時(shí)間:2016-10-14 09:38    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 60V , FemtoFET , MOSFET
作者: Brett Barr,TI公司

近日在中國深圳,我遇到了一位在一家信息娛樂(lè )系統制造商任職的設計師!澳銮稍谠O計中用過(guò)60V的負載開(kāi)關(guān)嗎?”我問(wèn)。他說(shuō)用過(guò),并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23,漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右!霸谶@些電路板上,您有遇到過(guò)空間受限的問(wèn)題嗎?”我問(wèn)。他確實(shí)碰到過(guò),于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面積僅為1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見(jiàn)圖1),是專(zhuān)為諸如信息娛樂(lè )系統等空間受限的應用情況設計的。


圖1:CSD18541F5l平面網(wǎng)格數組封裝

相比您的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封裝(參見(jiàn)圖2),新型MOSFET的尺寸約有其六分之一。這意味著(zhù),新型MOSFET不僅RDS(ON)導通電阻更小,其封裝尺寸也比傳統MOSFET小75%。


圖2:傳統SOT-23封裝,旁邊是CSD18541F5LGA封裝

與這位工程師做了一些快速計算,我們的結論是如果每個(gè)電路板用10個(gè)元件,他就能節省大約55mm2占位面積——大多數的工程師通常事后才會(huì )想到這節省的是不小的空間。那么焊盤(pán)間距情況如何呢?幸運的是,這個(gè)微型LGA封裝在設計中同樣考慮了工業(yè)客戶(hù)的需求,他們一致認為0.5mm是兩個(gè)焊盤(pán)之間的首選最小間距。

如今,我在工業(yè)市場(chǎng)遇見(jiàn)的每個(gè)人,無(wú)論是從事生產(chǎn)電源、電池保護裝置還是電動(dòng)工具的,幾乎都對更小尺寸或更高性能(或兼具兩個(gè)特點(diǎn))的負載開(kāi)關(guān)頗有興趣。

因此,如果您的工業(yè)設計需要使用不少SOT-23或更大的負載開(kāi)關(guān),請考慮選擇TI新型的CSD18541F5 MOSFET。相信我,您的PCB占位面積會(huì )也會(huì )對您感激不盡。

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