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英飛凌面向大電流應用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）。全新的OptiMOS-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿(mǎn)足客戶(hù)對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車(chē)電機驅動(dòng)應用、電動(dòng)助力轉向（EPS）系統和汽車(chē)啟停系統的理想解決方案。 出于成本和效率原因，整個(gè)行業(yè)都開(kāi)始轉向溝槽設計。OptiMOS-T2等功率MOSFET溝槽技術(shù)相對于以往的技術(shù)，在通態(tài)電阻和柵電荷方面實(shí)現了大幅改進(jìn)。這使得優(yōu)值系數（FoM=柵電荷x通態(tài)電阻）達到業(yè)界最低水平。此外，英飛凌創(chuàng )新的大電流“Powerbond”技術(shù)可解決MOSFET鍵合引線(xiàn)受限問(wèn)題，降低鍵合引線(xiàn)通態(tài)電阻的降幅，并增強電流功能。通過(guò)使鍵合引線(xiàn)更涼能進(jìn)一步提高可靠性。最新的Powerbond技術(shù)可確保一個(gè)MOSFET具備多達4條500微米鍵合引線(xiàn)，使標準封裝器件具備180A的額定電流。 OptiMOS-T2技術(shù)和結實(shí)耐用的封裝經(jīng)過(guò)精心設計，能夠在MSL1 （1級潮濕度）條件下，承受回流焊接過(guò)程中的260 °C高溫，并且采用無(wú)鉛電鍍，以符合RoHS標準。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽車(chē)電子委員會(huì )（AEC-Q101）的規范要求。英飛凌先進(jìn)的溝槽技術(shù)具備低柵電荷、低電容、低開(kāi)關(guān)損耗和出色的優(yōu)值系數，可使電機效率達到新高，同時(shí)最大限度降低EMC輻射。此外，優(yōu)化的柵電荷可確保更小的驅動(dòng)輸出級。 IPB180N03S4L-H0可滿(mǎn)足需要許多并聯(lián)MOSFET的大電流應用（超過(guò)500A）的要求。由于IPB180N03S4L-H0具備180A額定電流，因此，可使大電流系統所需的并聯(lián)MOSFET減少一半，從而優(yōu)化電流共享、熱性能和成本。由于汽車(chē)電機逐步轉向脈寬調制（PWM）控制以提高效率，因此，OptiMOS-T2 30V器件還可提供電池反向連接保護功能。 |
