更高效率和功率密度的同步降壓雙MOSFET器件(飛兆)

發(fā)布時(shí)間:2009-7-8 11:27    發(fā)布者:admin
關(guān)鍵詞: MOSFET , 高效率 , 功率密度 , 降壓 , 器件
飛兆半導體公司為設計人員帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200,可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側) 和同步 (低側) 30V N溝道MOSFET,二者均使用的專(zhuān)用先進(jìn)高性能PowerTrench 7 MOSFET技術(shù),提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD),這些性能最大限度地減少傳導和開(kāi)關(guān)損耗,帶來(lái)更高效率。FDMC8200高側RDS(ON) 通常為24mOhm,低側則為9.5mOhm,可提供9A以上電流供主流計算應用,而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積,為布局和路由帶來(lái)便利,并簡(jiǎn)化設計。

FDMC8200通過(guò)先進(jìn)的封裝技術(shù)和專(zhuān)有PowerTrench 7工藝,節省空間并提升熱性能,解決DC-DC應用的主要設計難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術(shù),其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。

這款雙MOSFET器件是飛兆半導體廣泛的先進(jìn)MOSFET技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分,全系列均擁有廣闊的擊穿電壓范圍和現代化的封裝技術(shù),實(shí)現高效的功率管理和低熱阻的特點(diǎn)。同系列其它產(chǎn)品包括集成了FET模塊的FDMS9600S 和FDMS9620S器件,同樣能夠顯著(zhù)減少電路板空間,并提升同步降壓設計以達到更高的轉換效率。

單價(jià)(訂購1000個(gè)):0.50美元
供貨:現提供樣品
交貨期:現已可付運



要了解飛兆半導體MOSFET產(chǎn)品系列的信息,請訪(fǎng)問(wèn)網(wǎng)頁(yè):
http://www.fairchildsemi.com/products/mosfets/index.html

產(chǎn)品的 PDF 格式數據表可從以下網(wǎng)址獲。
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC8200.pdf

查詢(xún)更多信息,請聯(lián)絡(luò )飛兆半導體香港辦事處,電話(huà):852-2722-8338;深圳辦事處,電話(huà):0755-8246-3088;上海辦事處,電話(huà):021-3250-7688;北京辦事處,電話(huà):010-6408-8088 或訪(fǎng)問(wèn)公司網(wǎng)站:www.fairchildsemi.com。
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