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英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品 ― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設計難度，適用于諸如PC、筆記本電腦、上網(wǎng)本或手機、照明（高壓氣體放電燈）以及LCD電視和游戲機等消費應用的電源或適配器，甚至是太陽(yáng)能電源市場(chǎng)。 英飛凌全球開(kāi)關(guān)電源高級市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt介紹，C6在輕載條件下具有非常好的效率，由于具有比C3更低的導通電阻、更小的輸出電容、更穩健的體二極管以及更小的反向恢復電荷，使其在成本、開(kāi)關(guān)損耗、質(zhì)量保證等方面更有競爭優(yōu)勢。Thomas Schmidt強調，CoolMOS C6系列將成為硬開(kāi)關(guān)應用的基準。另一方面，存儲在輸出電容中的極低電能和出類(lèi)拔萃的硬換流耐受性，使C6器件成為諧振開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的理想選擇。因此，C6的面市也將使C3在未來(lái)2至3年內逐漸退市。 但由于500/600V CP系列可滿(mǎn)足服務(wù)器、電信電源等應用更低開(kāi)關(guān)損耗和更低導通電阻的需求，因此英飛凌是希望C6未來(lái)與CP系列在不同應用領(lǐng)域的高壓MOSFET市場(chǎng)上兩頭作戰。電源廠(chǎng)商可受益于超結CP 系列的優(yōu)勢——包括極低電容損耗和極低單位面積導通電阻等，設計出更高效、更緊湊、更輕更高散熱效率的電源產(chǎn)品。與此同時(shí)，開(kāi)關(guān)控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對于CP系列的設計而言，CoolMOS C6簡(jiǎn)化了PCB系統布局。具體而言，這意味著(zhù)在CoolMOS C6系列內，柵極電荷、電壓/電流斜率和內部柵極電阻達到了優(yōu)化和諧狀態(tài)，即使低至零歐姆的柵極電阻，也不會(huì )產(chǎn)生過(guò)高的電壓或電流斜率。而C6器件具備出色的體二極管硬換流抗受能力，因此可避免使用昂貴的快速體二極管組件，也可使諸如PFC（功率因數校正）級或PWM（脈寬調制）級等功率轉換產(chǎn)品的功效得到大幅提升。 C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS超結MOSFET，它同時(shí)擁有包括超低單位面積導通電阻在內的補償器件的優(yōu)勢。據了解，超結(superjunction)技術(shù)因為在導通時(shí)可使載流子更快速流動(dòng)，因此比諸如IR HEXFET等結構具有更高效率。而目前在超結功率器件領(lǐng)域的玩家還包括ST、飛兆和日本東芝。Thomas Schmidt自信地表示，英飛凌從1990年就已開(kāi)始提供其第一代超結功率器件，因此在超結功率技術(shù)上具有領(lǐng)先優(yōu)勢，他認為其他廠(chǎng)商在超結功率產(chǎn)品的未來(lái)研發(fā)過(guò)程中一定會(huì )重復英飛凌所遇到過(guò)的困難。 另外，業(yè)界對GaN功率市場(chǎng)摩拳擦掌，但《電子工程專(zhuān)輯》記者了解到英飛凌未在GaN功率器件上有任何動(dòng)作。Thomas Schmidt對此解釋道，英飛凌其實(shí)也對GaN技術(shù)非常關(guān)注，因為IR承諾GaN功率技術(shù)能大幅度降低功率器件的成本，只可惜相關(guān)產(chǎn)品的面市一再拖延，因此對GaN功率技術(shù)目前還處于觀(guān)望期。 |
