具有低柵級電荷的車(chē)用功率MOSFET(IR)

發(fā)布時(shí)間:2010-9-8 18:28    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: 功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天宣布針對開(kāi)關(guān)應用,推出兩款具有低柵級電荷的車(chē)用 DirectFET 2 功率 MOSFET ,這些開(kāi)關(guān)應用包括開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 、D 類(lèi)音頻系統、高強度氣體放電燈 (HID) 照明,以及其它汽車(chē)電源轉換應用。

AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 是 IR為 DC-DC 應用量身定制的首款汽車(chē)級 DirectFET 器件,提供低柵級電荷和導通電阻 (RDS (on) ) ,有助于將各種開(kāi)關(guān)應用的開(kāi)關(guān)和傳導損耗降至最低。此外,由 DirectFET 功率封裝提供的低寄生電感可以實(shí)現非常出色的高頻開(kāi)關(guān)性能,并可減少波形振鈴,從而有助于限制電磁干擾和減小濾波器尺寸。



AUIRF7648M2 的PCB封裝尺寸比DPak 封裝小 54%,AUIRF7669L2 的PCB封裝尺寸則比D2Pak 小 60%。由于它們的封裝額定電流分別達到了 179A 和  375A ,DirectFET 封裝對硅電流能力沒(méi)有限制。此外,該封裝的最大額定電流遠遠超出了傳統的 DPak 和 D2Pak 封裝的限制。

新器件符合 AEC-Q101 標準,是在IR要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念下研制而成的,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 。

產(chǎn)品規格


器件編號

  
封裝

  
Vds

  
導通電阻(典型)

  
最大導通電阻

  
Qg

  
(典型)

  
ID

  
AUIRF7648M2

  
DF2 M Can

  
60V

  
5.5mΩ

  
7.0mΩ

  
35nC

  
68A

  
AUIRF7669L2

  
DF2 L Can

  
100V

  
3.5mΩ

  
4.4mΩ

  
81nC

  
114A


新器件現已接受訂單。數據表、應用說(shuō)明和認證標準可瀏覽 IR 的網(wǎng)站 www.irf.com。IR 還準備了 Spice 和 Saber 模型供索取。
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