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測試半導體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測量小電流。其中有些測試工作包括各種泄漏電流的測量。另一些對于晶圓片級半導體的弱電流測量則通常與介電材料（氧化物或化合物）的質(zhì)量有關(guān)。這些弱電流測量工作常常使用靜電計或源-測量單元。本文將介紹使用源-測量單元測量二極管的泄漏電流以及MOSFET的亞閾區電流（sub-thresh old current）。 二極管的泄漏電流 在理想的情況下，二極管的反向電流應當為零。然而，實(shí)際上確實(shí)存在著(zhù)反向電流。衡量二極管質(zhì)量的一個(gè)方面就是在規定的反向偏置電壓下的泄漏電流。 圖4-10 示出如何使用236型或6430型SMU來(lái)測量二極管的泄漏電流。236型SMU能夠以10fA的分辨率測量電流，并且輸出需要的偏置電壓。6430型SMU的分辨率為10aA。源-測量單元還可以測量其它的二極管參數，包括正向電壓降和擊穿電壓。 為了避免靜電干擾引起的誤差，應當將二極管放在屏蔽的測試夾具（test fixture）內。該裝置還能提供對光的遮蔽。由于二極管的結對光敏感，這一點(diǎn)也是很重要的。 MOSFET的亞閾區電流 各種MOSFET測試都要求進(jìn)行弱電流的測量。這些測試包括柵極漏電、泄漏電流與溫度的關(guān)系、襯底對漏極的漏電和亞閾區電流等。 亞閾區電流測試常常在晶圓片級進(jìn)行。它是表示器件打開(kāi)和關(guān)閉的快慢程度的參數。圖4-11示出測量亞閾區電流的典型測試設置情況。在此配置中，4200型半導體特性分析系統配備了2個(gè)SMU和前置放大器。使用一個(gè)SMU來(lái)提供恒定的漏-源電壓(VDS)，并測量產(chǎn)生的漏極電流（IDS）。另一個(gè)SMU用來(lái)掃描柵-源電壓（VGS）。對這個(gè)SMU來(lái)說(shuō)，應當將鉗位電流或測量電流值設置為固定測量量程上的最高期望的柵極電流。 圖4-12 是一個(gè)增強型MOSFET的IDS對VGS曲線(xiàn)。該曲線(xiàn)是在4200- SCS型半導體特性測試系統上得到的。 更多I-V測試解決方案，請點(diǎn)擊http://www.keithley.com.cn/semi |
