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超級結器件具有業(yè)內最低的RDS(ON)*Qg FOM，可用于通信、工業(yè)和企業(yè)應用 Vishay推出第四代600V E系列功率MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內最低的優(yōu)值系數 (FOM 即柵極電荷與導通電阻乘積)，該參數是600V MOSFET在功率轉換應用的關(guān)鍵指標。 
“我們承諾為客戶(hù)提供支持所有功率轉換過(guò)程的各種MOSFET技術(shù)，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種最新的電子系統”，Vishay市場(chǎng)發(fā)展部高級總監David Grey說(shuō)到，“有了SiHP065N60E和即將發(fā)布的第四代600V E系列產(chǎn)品，我們就可以在設計電源系統架構的初期就實(shí)現提高效率和功率密度的目標，包括功率因數校正和隨后的高壓DC/DC轉換器磚式電源�！� SiHP065N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級結技術(shù)制造，在10V下的最大導通電阻為0.065Ω，柵極電荷低至49nC。器件的FOM為2.8Ω*nC，比同類(lèi)最接近的MOSFET低25%。SiHP065N60E的有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別只有93pf和593pF，可改善開(kāi)關(guān)性能。在通信、工業(yè)和企業(yè)電源系統的功率因數校正和硬開(kāi)關(guān)DC/DC轉換器拓撲中，這些性能參數意味著(zhù)更低的傳導和開(kāi)關(guān)損耗。 今天發(fā)布的器件采用TO-220AB封裝，符合RoHS，無(wú)鹵素，可承受雪崩模式中的過(guò)壓瞬變，而且保證限值通過(guò)了100% UIS測試。 SiHP065N60E現可提供樣品，在2017年1月實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為十周。 |
