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來(lái)源：賽迪顧問(wèn) （一）一二代半導體各有瓶頸，難以滿(mǎn)足新興市場(chǎng)需求 第一代半導體以硅（Si）、鍺(Ge)為代表，主要應用在數據運算領(lǐng)域，硅基芯片在人類(lèi)社會(huì )的每一個(gè)角落無(wú)不閃爍著(zhù)它的光輝，隨著(zhù)科技需求的日益增加，硅傳輸速度慢、功能單一的不足暴露了出來(lái)，同時(shí)集成電路產(chǎn)業(yè)遵循的“摩爾定律”演進(jìn)趨緩，以新材料、新結構以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展方向。第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，主要應用于通信領(lǐng)域。從21世紀開(kāi)始，智能手機、新能源汽車(chē)、機器人等新興的電子科技發(fā)展迅速，同時(shí)全球能源和環(huán)境危機突出，能源利用趨向低功耗和精細管理，傳統的第一、二代半導體材料由于自身的性能限制已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足科技的需求，這就呼喚需要出現新的材料來(lái)進(jìn)行替代。 （二）第三代半導體優(yōu)勢明顯，重點(diǎn)領(lǐng)域市場(chǎng)需求量大 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料憑借其寬禁帶、高熱導率、高擊穿電場(chǎng)、高抗輻射能力等特點(diǎn)，在許多應用領(lǐng)域擁有前兩代半導體材料無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)，有望突破第一、二代半導體材料應用技術(shù)的發(fā)展瓶頸，市場(chǎng)應用潛力巨大。根據第三代半導體不同的發(fā)展情況，其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器以及其他4個(gè)領(lǐng)域，每個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)成熟度各不相同，其中前沿研究領(lǐng)域，寬禁帶半導體還處于實(shí)驗室研發(fā)階段。預計到2020年，第三代半導體技術(shù)應用將在節能減排、信息技術(shù)、國防三大領(lǐng)域催生上萬(wàn)億元潛在市場(chǎng)，而碳化硅和氮化鎵器件很可能成為推動(dòng)整個(gè)電力電子、光電子和微波射頻三大領(lǐng)域效率提升和技術(shù)升級的關(guān)鍵動(dòng)力之一。 （三）發(fā)達國家展開(kāi)全面部署，美日歐欲搶?xiě)鹇灾聘唿c(diǎn) 國際上第三代半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)整體進(jìn)入產(chǎn)業(yè)形成期，并開(kāi)始步入激烈競爭的階段，眾多國家將其列入國家戰略，從國際競爭角度看，美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導體材料列入國家計劃，并展開(kāi)全面戰略部署，欲搶占戰略制高點(diǎn)。 （四）國家意志驅動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，第三代半導體迎來(lái)機遇 我國政府高度重視第三代半導體材料的研究與開(kāi)發(fā)，從2004年開(kāi)始對第三代半導體領(lǐng)域的研究進(jìn)行了部署，啟動(dòng)了一系列重大研究項目，2013年科技部在863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域項目征集指南中明確將第三代半導體材料及應用列為重要內容。2015年5月，國務(wù)院發(fā)布《中國制造2025》，新材料是《〈中國制造2025〉重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線(xiàn)圖》中十大重點(diǎn)領(lǐng)域之一，其中第三代半導體被納入關(guān)鍵戰略材料發(fā)展重點(diǎn)；同年，京津冀聯(lián)合共建了第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng )新基地，欲搶占第三代半導體戰略新高地，并引進(jìn)國際優(yōu)勢創(chuàng )新資源。2016年作為“十三五”開(kāi)局之年，科技部、工信部、國家發(fā)改委等多部委出臺多項政策，對第三代半導體材料進(jìn)行布局。從政策的內容來(lái)看，科技創(chuàng )新仍是重點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)化布局、專(zhuān)業(yè)人才儲備、投資鼓勵、產(chǎn)業(yè)園規劃建設、生產(chǎn)制造扶植等方面的支持政策也逐步出臺，力爭全面實(shí)現“換道超車(chē)”。地方政策也在2016年大量出臺，一方面多地均將第三代半導體寫(xiě)入“十三五”相關(guān)規劃（17項）；另一方面不少地方政府有針對性的對當地具有一定優(yōu)勢的SiC和GaN材料企業(yè)進(jìn)行扶持。 |
