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功率MOSFET以其導通電阻低和負載電流大的突出優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為開(kāi)關(guān)電源（switch-mode Power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專(zhuān)用MOSFET驅動(dòng)器的出現又為優(yōu)化SMPS控制器帶來(lái)了契機。那些與SMPS控制器集成在一起的驅動(dòng)器只適用于電路簡(jiǎn)單、輸出電流小的產(chǎn)品；而那些用分立的有源或無(wú)源器件搭成的驅動(dòng)電路既不能滿(mǎn)足對高性能的要求，也無(wú)法獲得專(zhuān)用單片式驅動(dòng)器件的成本優(yōu)勢。專(zhuān)用驅動(dòng)器的脈沖上升延時(shí)、下降延時(shí)和傳播延遲都很短暫，電路種類(lèi)也非常齊全，可以滿(mǎn)足各類(lèi)產(chǎn)品的設計需要。 大電流MOSFET柵極驅動(dòng)器 為中間總線(xiàn)架構（IBA）系統的優(yōu)化的POL DC-DC轉換器、Intel及AMD微處理器的內核穩壓器、大電流扁平型 DC-DC 轉換器、高頻和高效率 VRM 和 VRD，以及同步整流隔離電源等應用都對較大電流的 MOSFET 柵極驅動(dòng)器提出了迫切需求，這類(lèi) MOSFET 柵極驅動(dòng)器要能夠低開(kāi)關(guān)損耗，提高工作效率，同時(shí)還要具備故障保護、引腳兼容等諸多特性，以實(shí)現系統更多的功能和更高的速度。 Intersil 公司剛剛推出的高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous）MOSFET 柵極驅動(dòng)器 ISL6615 和 ISL6615A就可以滿(mǎn)足上述要求。這些新器件有助于為系統安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護功能。 以 ISL6615 為例，它采用一種同步整流降壓式轉換器拓撲結構，是一款專(zhuān)門(mén)用來(lái)驅動(dòng)高低功率 N溝道 MOSFET 的高速 MOSFET 驅動(dòng)器。該驅動(dòng)器，集成了 Intersil 的數字或模擬多相 PWM 控制器，形成了一款完整的高頻和高效率的穩壓器。它可以在 4.5 V 至 13.2 V 下驅動(dòng)高低柵極。其驅動(dòng)電壓可以實(shí)現應用所需的包括柵極電荷和導通損耗之間平衡在內的靈活性的優(yōu)化。 新型驅動(dòng)器增加了柵極驅動(dòng)電流（UGATE 的流出和吸入柵極驅動(dòng)電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短柵極電壓上升、下降時(shí)間。這將最大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗并改善效率，尤其是在每相并聯(lián)功率 MOSFET 的大電流應用當中。 ISL6615 和 ISL6615A 還支持 9.6V 和 12V 輸入軌。此外，設計人員可以選擇支持3.3 PWM 信號（ISL6615）或 5V PWM 信號（ISL6615A）的器件型號。每個(gè)器件都有 12 V 至 5 V 的寬輸入電壓工作范圍，所有器件都與 Intersil 的上一代 ISL6594D 引腳對引腳兼容。 為了提供給系統更高的安全保護，兩款產(chǎn)品利用防止過(guò)充電的自舉電容器、三態(tài)PWM輸出安全輸出級關(guān)斷、預 POR 過(guò)壓保護和 VCC 欠壓保護等多種保護來(lái)實(shí)現這個(gè)目標。這種對系統安全的關(guān)注，加上改善的靈活性和更高的柵極驅動(dòng)效率，有助于設計人員保持電路板設計的一致性，同時(shí)實(shí)現諸多改善，并避免使用昂貴的低的 RDS（ON） MOSFET。 此外，ISL6615 還具有先進(jìn)的自適應零擊穿死區時(shí)間控制、上電復位（POR）功能，以及多功能柵極驅動(dòng)電壓等特性。這些都有助于實(shí)現行業(yè)最佳的開(kāi)關(guān)效率，而且無(wú)需重新設計電路板。 ESBT功率開(kāi)關(guān)降低能耗、尺寸和成本 意法半導體推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管）功率開(kāi)關(guān)，使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開(kāi)關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數量和尺寸。 STC03DE220HV是額定擊穿電壓2200V的ST ESBT新系列的首款產(chǎn)品。在電源電壓90V AC到690V AC的通用輸入轉換器中，新產(chǎn)品讓設計工程師采用單功率開(kāi)關(guān)的反激式拓撲。使用一個(gè)通用的硬件平臺，再配合適合的控制器如L6565，ST完整的ESBT產(chǎn)品讓設計工程師能夠開(kāi)發(fā)最大功率達到250W的準諧振轉換器。 高效開(kāi)關(guān)頻率高達150kHz，最大額定電流3A，STC03DE220HV可用于各種輔助開(kāi)關(guān)電源，包括商用電表、感應電機逆變器、電焊設備和不間斷電源（UPS）。強化的TO247-4L封裝是新產(chǎn)品的另一個(gè)亮點(diǎn)，8.9mm的爬電距離超出了IEC664-1在最大2200V工作電壓下的絕緣要求。 集通態(tài)損耗低、來(lái)自傳統MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率高、柵驅動(dòng)設計簡(jiǎn)易等三大優(yōu)點(diǎn)于一身，STC03DE220HV利用ESBT技術(shù)優(yōu)化了標準雙極晶體管和高壓MOSFET。從集電極到源極，STC03DE220HV達到了0.33 歐姆的等效導通電阻，同時(shí)還實(shí)現了150kHz 的最大開(kāi)關(guān)頻率，如此高的工作頻率允許設計使用尺寸更小的濾波器。此外，整個(gè)裸片尺寸小于同級別電壓的高壓MOSFET，產(chǎn)品本身就實(shí)現了節省成本的目的。ESBT的正方形安全工作區（SOA）還有助于簡(jiǎn)化電源設計，確保電源在各種環(huán)境中都有可靠的性能表現。 ZXGD3000雙極柵極驅動(dòng)器可灌入9A電流 Zetex Semiconductors(捷特科)推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動(dòng)器系列，用于開(kāi)關(guān)電源和電機驅動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅動(dòng)器IC更快，有助于加快開(kāi)關(guān)時(shí)間，提高電路效率。 該系列包含4款高速非反向柵極驅動(dòng)器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開(kāi)關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對MOSFET開(kāi)關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，并消除擊穿現象，從而提升電路的可靠性和EMI性能。 ZXGD3000柵極驅動(dòng)器系列采用6引線(xiàn)SOT23封裝，可減少元件數目，增加功率密度。這些器件的高電流增益和低輸入電流要求可直接連接低功率控制器IC，而不必使用緩沖電路。 該器件采用獨立的流入和流出輸出引腳，使設計人員可以靈活獨立地控制柵極升降時(shí)間。SOT23-6封裝的引腳分布經(jīng)過(guò)了優(yōu)化，可以大大簡(jiǎn)化印刷電路板布局，使線(xiàn)跡電感降至最低；采用的直通設計方法可以將輸入和輸出端置于器件的兩個(gè)對邊。 高速單/雙通道MOSFET驅動(dòng)器 Maxim推出MAX15024/MAX15025高速、單/雙通道MOSFET驅動(dòng)器，采用3mm x 3mm、增強散熱的TDFN封裝。MAX15024是單通道柵極驅動(dòng)器，能夠吸入8A峰值電流、源出4A峰值電流。MAX15025是雙通道柵極驅動(dòng)器，能夠吸入和源出高達4A的峰值電流。兩款器件的通道間傳輸延時(shí)匹配的典型值為2ns，器件之間的傳輸延時(shí)匹配通常小于17ns。器件內置可調節LDO，用于柵極驅動(dòng)振幅控制和優(yōu)化。MAX15024/MAX15025是功率MOSFET開(kāi)關(guān)、發(fā)動(dòng)機控制和結構緊湊的高頻開(kāi)關(guān)電源的理想選擇。 MAX15024/MAX15025工作于4.5V至28V電源電壓，可承受高達30V瞬時(shí)電壓。此外，器件的反相和同相邏輯輸入可在22V電壓下工作，與VCC電源電壓的取值無(wú)關(guān)。器件包含一個(gè)邏輯保護電路，可防止在輸出狀態(tài)變化期間產(chǎn)生內部直通電流，邏輯電路支持CMOS或TTL邏輯電平輸入。 MAX15024/MAX15025工作在-40℃至+125℃汽車(chē)級溫度范圍。提供帶有裸焊盤(pán)的3mm x 3mm、10引腳TDFN封裝，在+70℃環(huán)境溫度下散熱可高達2W。 固型600V三相柵極驅動(dòng)器IC IR推出堅固型600V三相柵極驅動(dòng)器IC，主要應用于包括永磁電機驅動(dòng)的家電、工業(yè)驅動(dòng)、微型變頻器驅動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)驅動(dòng)等在內的高、中和低壓電機驅動(dòng)應用。 IRS26310DJPbF把功率MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器與三個(gè)高側及三個(gè)低側參考輸出通道集成在一起，在高達20V MOS柵極驅動(dòng)能力及最高600V工作電壓下，可提供200mA/350mA的驅動(dòng)電流。新款 IC整合了集成的自舉二極管，可提供全面的保護功能，包括改進(jìn)的負電壓尖峰 (Vs) 免疫電路，以防止系統在大電流切換或短路情況下發(fā)生災難性事件，實(shí)現更高水平的耐用性和可靠性。它還集成了先進(jìn)的輸入濾波器來(lái)抑制噪聲并減少失真，從而提高系統性能。 新器件的特定應用保護功能包括采用過(guò)壓保護的DC 總線(xiàn)檢測，以及用于永磁電機驅動(dòng)的零向量制動(dòng)功能。由外部電流檢測電阻器衍生的電流切斷功能能夠終止所有六個(gè)輸出，而且擁有觸發(fā)功能可以同時(shí)終止六個(gè)輸出。 該器件的輸出驅動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅動(dòng)器跨導降至最低。傳播延遲也適合用來(lái)簡(jiǎn)化高頻應用。 新器件采用IR 先進(jìn)的高壓IC (HVIC) 工藝，集成了新一代高壓電平轉換和端接技術(shù)，以提供卓越的電氣過(guò)應力保護和更高的現場(chǎng)可靠性。IRS26310D除了有過(guò)流、過(guò)溫檢測輸入等功能，還具有欠壓鎖定保護、集成死區時(shí)間保護、擊穿保護、關(guān)斷輸入、錯誤報告等功能，并能與 3.3V輸入邏輯兼容。 |
