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來(lái)源：PConline 近日，GlobalFoundries（格羅方德）公布了7nm的進(jìn)度、技術(shù)指標和量產(chǎn)安排，令半導體界為之一振。 
GlobalFoundries因為縮寫(xiě)為GF、同時(shí)曾經(jīng)被AMD擁有、至今也是AMD最主要的代工伙伴，所以即使“賣(mài)身”到了中東，也還是被硬件愛(ài)好則會(huì )親切地稱(chēng)為“AMD女友”。 雖然Intel、三星、臺積電等對手都選擇用在14nm之后用10nm過(guò)度一代，但GF卻直奔7nm。
今天，Anandtech公開(kāi)了全球六大代工廠(chǎng)的官方制程路線(xiàn)圖，可以看到，臺積電和GF的7nm最快，都能在2018年量產(chǎn)。
不過(guò)，GF為7nm劃分了三代，第一代是DUV（深紫外光刻），而導入EUV（極紫外光刻）需要到2019年。
技術(shù)指標上，GF的第一代/第二代7nm相較14nm FinFET可提升40%性能、降低60%功耗，芯片成本降低30%。
DUV和EUV在細節指標上的區分還是很大，比如DUV的氬氟(ArF)準分子激光波長(cháng)是193nm，而EUV只有13.5nm。
回到進(jìn)度對比上，Intel實(shí)在是有些難堪，1個(gè)10nm要用到2020年，那時(shí)AMD基于7nm的Zen 2/3都應該發(fā)布了。 |
