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1A和2A器件的高度為0.65mm，正向壓降低至0.36V。顯著(zhù)節省空間并提高功率密度和效率 Vishay 新增10顆采用eSMP系列MicroSMP(DO-219AD)封裝的1A和2A器件，擴充其表面貼裝的TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器節省空間，可替換SOD123W封裝的肖特基整流器，反向電壓從45V到150V，其中業(yè)內首顆采用MicroSMP封裝的2A TMBS整流器的正向壓降低至0.40V。 
目前，2A電流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封裝。今天發(fā)布的這批器件在較小的MicroSMP封裝內也可以輸出高正向電流，從而提高了功率密度。整流器的尺寸為2.5mm x 1.3mm，高度0.65mm，比SOD123W薄35%，同時(shí)占板空間少45%。為實(shí)現良好的散熱性能，MicroSMP封裝采用了不對稱(chēng)的引線(xiàn)框架設計。 1A整流器的正向壓降為0.36V，2A器件的正向壓降為0.40V，夠減少功率損耗，提高效率。針對低壓高頻逆變器，DC/DC轉換器，續流以及極性保護等工業(yè)和商業(yè)應用。這些器件還有通過(guò)AEC-Q101認證的版本，可用于汽車(chē)應用。 新整流器的最高工作結溫達+175℃，潮濕敏感度等級達到per J-STD-020的1級，LF最高峰值為+260℃。器件非常適合自動(dòng)貼裝，符合RoHS，無(wú)鹵素。 器件規格表：
新的TMBS整流器現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
