注重成本的DC-DC應用MOSFET芯片組IRF6708S2和IRF6728M(IR)

發(fā)布時(shí)間:2010-12-14 14:52    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: DirectFET , IRF6708S2 , IRF6728M , MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組,特別為注重成本的19V輸入同步降壓應用 (如筆記本電腦) 而設計。

IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數量達30%,大幅降低了整體系統成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導通電阻 (RDS(on))  ,最大限度減少了傳導及開(kāi)關(guān)損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ,可以降低與體二極管導通和反向恢復相關(guān)的損耗。



IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技術(shù)。這些新器件除了擁有低導通電阻和低電荷,也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。

產(chǎn)品規格
  
器件編號
  
  
BVDSS  (V)
  
  
10V下的
  
典型RDS(on)
(m
)
  
  
4.5V下的
  
典型RDS(on)

(m)

  
  
VGS  (V)
  
  
4.5V下的
  
典型QG
(nC)

  
  
4.5V下的
  
典型QGD  (nC)
  
  
IRF6728M
  
  
30
  
  
1.8
  
  
2.8
  
  
+/-20
  
  
28
  
  
8.7
  
  
IRF6708S2
  
  
30
  
  
7.5
  
  
12.0
  
  
+/-20
  
  
6.6
  
  
2.2
  

產(chǎn)品詳細數據及應用說(shuō)明可瀏覽IR網(wǎng)頁(yè)www.irf.com。

新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) ,現已接受批量訂單。
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