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美國北卡羅萊納州立大學(xué)(North Carolina State University)最近宣布開(kāi)發(fā)出一種“通用(universal)”內存技術(shù)，號稱(chēng)結合了DRAM的速度，同時(shí)具備閃存的非揮發(fā)特性與密度優(yōu)勢。 研究人員表示，這種新內存技術(shù)采用了雙浮動(dòng)柵(double floating-gate)場(chǎng)效晶體管(FET)，能允許計算機將目前未被存取的內存斷電，因此能大幅降低包括可攜式/桌上型PC與服務(wù)器、數據中心等各種計算機的耗電量�！安捎梦覀兊男率诫p浮動(dòng)柵架構之內存，速度應可媲美DRAM，但需要經(jīng)常刷新(refresh)；其密度則可達到閃存的水平�！北笨_萊納州立大學(xué)電子工程教授Paul Franzon表示。 雙浮動(dòng)柵是以直接穿隧(direct tunneling)方式儲存電荷來(lái)代替位，而不是像閃存那樣透過(guò)熱電子注入(hot electron injection)，并因此能以較低的電壓運作。由于堆棧中的第一個(gè)浮動(dòng)柵會(huì )泄漏(leaky)，因此需要跟DRAM差不多的刷新頻率(16毫秒)；但透過(guò)提高電壓，其數據值(data value)可被轉移到第二個(gè)浮動(dòng)柵——其角色更類(lèi)似傳統閃存，可提供較長(cháng)期間的非揮發(fā)性?xún)Υ妗?br /> 當計算機在運作中，可正常使用雙浮動(dòng)柵FET作為主存儲器；在計算機閑置時(shí)，其數據值就能轉移到第二個(gè)浮動(dòng)柵，以將內存芯片斷電。當計算機需要再次存取所儲存的數據值，第二個(gè)浮動(dòng)柵會(huì )快速將所儲存的電荷轉回去第一個(gè)浮動(dòng)柵，并恢復正常運作�！拔覀兿嘈胚@種新內存組件，能實(shí)現依運算需求比例式分配功率(power-proportional)的計算機，讓內存可在低使用率期間被關(guān)閉，又不影響系統性能�！盕ranzon表示。 
雙浮動(dòng)柵FET內存架構 到目前為止，研究人員僅在新的FET設計采用該種雙浮動(dòng)柵架構，現在正進(jìn)行周期性測試，以確�？蓮母�(dòng)柵進(jìn)行內存儲存與復原，且不會(huì )造成最終使內存組件耗損的疲乏效應。舉例來(lái)說(shuō)，如閃存是在熱載子注入時(shí)采用非常高的電壓，因此該類(lèi)內存組件僅能耐受約1萬(wàn)次的讀/寫(xiě)周期。雙浮動(dòng)柵FET采用低電壓，不過(guò)還需透過(guò)周期性測試才能確定該類(lèi)組件是否會(huì )出現過(guò)度疲乏效應。 如果測試組件通過(guò)了周期性測試，研究人員接下來(lái)將以該架構打造真正的半導體內存；該任務(wù)預定在2012年開(kāi)始進(jìn)行。 翻譯：Judith Cheng |
