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器件在10V下的最大導通電阻為0.58mΩ，柵極電荷為61nC，采用小尺寸PowerPAK SO-8單片封裝 Vishay推出新的25V N溝道TrenchFET Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導通電阻為業(yè)內最低，僅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷，導通電阻還不到0.6mΩ，使柵極電荷與導通電阻乘積優(yōu)值系數(FOM)也達到最低，可使各種應用提高效率和功率密度。 
今天發(fā)布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK SO-8封裝，是目前最大導通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類(lèi)器件相比，SiRA20DP的典型柵極電荷更低，只有61nC，FOM為0.035Ω*nC，低32%。其他25V N溝道MOSFET的導通電阻則要高11%甚至更多。 SiRA20DP的低導通電阻可減小傳導功率損耗，提高系統效率，實(shí)現更高的功率密度，特別適合冗余電源架構中的OR-ring功能。器件的FOM較低，可提高開(kāi)關(guān)性能，如通信和服務(wù)器電源中DC/DC轉換，電池系統中的電池切換，以及5V到12V輸入電源的負載切換。 這顆MOSFET經(jīng)過(guò)了100%的RG和UIS測試，符合RoHS，無(wú)鹵素。 SiRA20DP現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十五周。 |
