NI PXI SMU為半導體測試系統提升多達6倍的通道密度

發(fā)布時(shí)間:2018-1-30 17:42    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 源測量單元 , SMU , 半導體測試
NI(美國國家儀器,National Instruments, 簡(jiǎn)稱(chēng)NI)推出PXIe-4163高密度源測量單元(SMU),該測量單元提供了比以往NI PXI SMU高達6倍的直流通道密度,適用于測試RF、MEMS以及混合信號和其他模擬半導體元件。

NI全球銷(xiāo)售和市場(chǎng)執行副總裁Eric Starkloff表示:“5G、物聯(lián)網(wǎng)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)等革命性的技術(shù)發(fā)展給半導體企業(yè)帶來(lái)持續的壓力。無(wú)論是實(shí)驗室環(huán)境還是生產(chǎn)車(chē)間,都需要采用更高效的半導體測試方法。半導體測試是NI的戰略重點(diǎn)。我們正在擴展我們的軟件平臺和PXI功能,以幫助芯片制造商應對他們面臨的最大挑戰,這一點(diǎn)通過(guò)NI最新的PXI SMU可以完全體現出來(lái)!

由于其高吞吐量、高性?xún)r(jià)比和占地面積小,NI的半導體測試系統(STS)正在快速應用到芯片生產(chǎn)中。全新的PXIe-4163 SMU則進(jìn)一步增強了這些功能,它能提供更高的直流通道密度,使多站點(diǎn)應用具有更高的并行性,以及在生產(chǎn)中提供實(shí)驗室級別的測量質(zhì)量。利用這一組合,工程師在實(shí)驗室和生產(chǎn)車(chē)間中可以使用相同的儀器進(jìn)行驗證,從而減少了測量數據關(guān)聯(lián)的挑戰,進(jìn)而縮短上市時(shí)間。

工程師可以在STS配置或單獨的PXI系統中使用全新的PXIe-4163 SMU。 主要產(chǎn)品功能包括:
•        在單個(gè)PXI Express插槽中提供多達24路通道
•        每通道電壓范圍+/- 24 V
•        每通道高達100 mA源極/漏極電流
•        100 pA電流靈敏度
•        高達100 kS/s采樣率和更新速率
•        采用SourceAdapt技術(shù),可最小化過(guò)沖和振動(dòng)
•        交互式配置和調試軟件
•        在單個(gè)PXI機箱中提供高達408個(gè)高精度SMU通道(4U機架空間)
•        受到STS全面支持,包括系統級布線(xiàn)、校準和引腳映射支持

STS于2014年推出,為半導體生產(chǎn)提供了顛覆性的測試方法。它基于NI PXI平臺,可以幫助工程師構建更智能的測試系統。PXI平臺包括1 GHz帶寬矢量信號收發(fā)儀 、fA級SMU 、TestStand業(yè)界領(lǐng)先的商用現成測試管理軟件以及頻率從DC涵蓋到mmWave的600多種PXI產(chǎn)品。

如需了解更多關(guān)于STS的功能,請訪(fǎng)問(wèn)www.ni.com/sts/。
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