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2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠(chǎng)生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS 高壓MOSFET順利下線(xiàn)。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構，使得CoolMOS 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅實(shí)基礎。 在晶體管問(wèn)世55年后，英飛凌于2002年憑借突破性的CoolMOS 晶體管技術(shù)，喜獲“德國工業(yè)創(chuàng )新獎”。這種高壓功率晶體管提升了一系列產(chǎn)品的能效，例如PC電源、服務(wù)器、太陽(yáng)能逆變器、照明設備與通信電源設備等。而且這些節能晶體管如今還是各種消費類(lèi)電子產(chǎn)品的核心器件，例如平板電視和游戲機等。當前所有電力工業(yè)設備和家用電器的都將高能效和節能做為主要性能指標。采用英飛凌的高能效半導體解決方案可使全球節省25%的能耗。例如，通過(guò)選用CoolMOS產(chǎn)品，服務(wù)器電路板的功耗可減少約30W。全球服務(wù)器若按約6,000萬(wàn)臺計算，共計可節電18億瓦，這相當于一座核電站的發(fā)電量。 代表最新技術(shù)的650V CoolMOS CFD2 英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng )新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。較軟的換向性能帶來(lái)更出色的抗電磁干擾特性，從而使該器件競爭力首屈一指。CoolMOS CFD 2 650V產(chǎn)品具備快速開(kāi)關(guān)超結結構MOSFET的所有優(yōu)點(diǎn)，例如更高的輕載效率、更低的柵極電荷、方便的使用和出色的可靠性。英飛凌預計這種晶體管的最大潛在市場(chǎng)主要集中在太陽(yáng)能逆變器、電腦服務(wù)器、LED照明和通信設備等領(lǐng)域。有關(guān)全新CFD2產(chǎn)品系列的更多信息可查詢(xún)以下網(wǎng)站：www.infineon.com/cfd2。 英飛凌的CoolMOS 技術(shù) 革命性的CoolMOS 功率晶體管系列在能效方面樹(shù)立了行業(yè)新標桿。作為高壓MOSFET技術(shù)的領(lǐng)導者，CoolMOS 可大幅降低導通和開(kāi)關(guān)損耗，確保高端電源轉換系統實(shí)現高功率密度和高能效。針對應用專(zhuān)門(mén)優(yōu)化的CoolMOS器件適用于消費類(lèi)產(chǎn)品、可再生能源、通信電源、適配器和其他產(chǎn)品。憑借其出類(lèi)拔萃的性?xún)r(jià)比，CoolMOS 成為滿(mǎn)足目前不斷攀升的能源需求的理想之選。尤其是最新的，代表最高技術(shù)含量的高壓功率MOSFET使交流/直流電源系統更高效、更緊湊、更輕更涼。這種高壓MOSFET之所以取得這樣的成功，得益于其每種封裝上具備最低的通態(tài)電阻、最快的開(kāi)關(guān)速度和最低的柵極驅動(dòng)需求。更多信息可查詢(xún)以下網(wǎng)站：www.infineon.com/CoolMOS。 |
