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器件采用PowerPAK SO-8單體封裝，柵極電荷為52 nC，輸出電荷為68 nC均達到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平 Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8單體封裝的60 V TrenchFET 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專(zhuān)門(mén)用于提高功率轉換拓撲結構的效率，導通電阻比前代器件降低36%，同時(shí)柵極電荷和輸出電荷達到同類(lèi)產(chǎn)品最低水平。 
日前發(fā)布的器件10 V條件下最大導通電阻降至1.7 m，柵極電荷僅為52 nC，輸出電荷為68 nC，COSS為992 pF。在功率轉換應用中，這款MOSFET的柵極電荷與導通電阻乘積和輸出電荷與導通電阻乘積優(yōu)值系數 (FOM) 分別比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。 SiR626DP改進(jìn)了技術(shù)規格，經(jīng)過(guò)調校最大限度降低導通和開(kāi)關(guān)損耗。器件提高了AC/DC拓撲結構同步整流，隔離式DC/DC拓撲結構原邊和副邊開(kāi)關(guān)效率，適用于太陽(yáng)能微型逆變器和通信、服務(wù)器、醫療設備電源、電動(dòng)工具和工業(yè)設備電機驅動(dòng)控制、電池管理模塊的電池切換。 MOSFET經(jīng)過(guò)100% RG和UIS測試，符合RoHS標準，無(wú)鹵素。 SiR626DP現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)。產(chǎn)品供貨周期為30周，視市場(chǎng)情況而定。 |
