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半導體分立器件是組成集成電路的基礎，包含大量的 雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應管等。 直流I-V測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲線(xiàn)，來(lái)決定器 件的基本參數。微電子器件種類(lèi)繁多，引腳數量和待 測參數各不相同，除此以外，新材料和新器件對測試 設備提出了更高的要求，要求測試設備具備更高的低 電流測試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。 
分立器件I-V特性測試的主要目的是通過(guò)實(shí)驗，幫助工 程師提取半導體器件的基本I-V特性參數，并在整個(gè)工 藝流程結束后評估器件的優(yōu)劣。 隨著(zhù)器件幾何尺寸的減小，半導體器件特性測試對測 試系統的要求越來(lái)越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級，這些對低噪聲源表，探針臺和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。 半導體分立器件I-V特性測試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時(shí)利公司開(kāi)發(fā)的高精度源測量單元 （SMU）為核心測試設備，配備使用簡(jiǎn)便靈活，功能 豐富的CycleStar測試軟件，及精準穩定的探針臺，為客戶(hù)提供了可靠易用的解決方案，極大的提高了用戶(hù) 的工作效率。
吉時(shí)利方案特點(diǎn)： 豐富的內置元器件庫，可以根據測試要求選擇所需要的待測件類(lèi)型； 測試和計算過(guò)程由軟件自動(dòng)執行，能夠顯示數據和曲線(xiàn)，節省了大量的時(shí)間； 精準穩定的探針臺，針座分辨率可高達0.7um，顯微鏡放大倍數最高可達x195倍； 最高支持同時(shí)操作兩臺吉時(shí)利源表，可以完成三端口器件測試。 測試功能： 二極管特性的測量與分析 極型晶體管BJT特性的測量與分析 MOSFET場(chǎng)效應晶體管特性的測量與分析 MOS 器件的參數提取 系統結構： 系統主要由一臺或兩臺源精密源測量單元（SMU）、 夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端口MOSFET 器件為例，共需要以下設備： 1、兩臺吉時(shí)利 2450 精密源測量單元 2、四根三同軸電纜 3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺 4、三同軸T型頭 5、上位機軟件與源測量單元（SMU）的連接方式如下圖所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個(gè)接口進(jìn)行連接。
系統連接示意圖：
典型方案配置：
西安某高�，F場(chǎng)演示圖 安泰測試已為西安多所院校、企業(yè)和研究所提供吉時(shí)利源表現場(chǎng)演示，并獲得客戶(hù)的高度認可，安泰測試將和泰克吉時(shí)利廠(chǎng)家一起，為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和全面的測試方案，為客戶(hù)解憂(yōu)。 |
