利用正向壓降測量半導體結溫

發(fā)布時(shí)間:2011-3-8 12:01    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: 半導體 , 測量 , 結溫 , 正向壓降
集成電路中數以百萬(wàn)計晶體管到制造高亮度LED的大面積復合結,半導體結可能由于不斷產(chǎn)生的熱量而在早期發(fā)生故障。當特征尺寸縮小并且當所需電流增大的情況下,這會(huì )成為非常嚴重的問(wèn)題,甚至正常操作也可能聚積熱量,使結溫升高。溫度上升會(huì )導致半導體結內部的故障增加,進(jìn)而使性能降低、使用壽命縮短。因此,需要一種準確測量半導體器件溫度的方法,避免出現危險的高溫。本文介紹了一種用常規測試和測量?jì)x器測量結溫的簡(jiǎn)單方法,并且如何用測量的結溫監視指定器件的工作條件。

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