MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲技術(shù)。MRAM通常被稱(chēng)為“存儲器的圣杯”，具有快速，高密度和非易失性的特點(diǎn)，可以在單個(gè)芯片中替代當今使用的所有類(lèi)型的存儲器。
Everspin是全球唯一的磁性RAM（MRAM）產(chǎn)品商業(yè)制造商。Everspin產(chǎn)品憑借其非常成功的ToggleMRAM技術(shù)，被用于從汽車(chē)，航空和存儲系統到工業(yè)自動(dòng)化，航空航天等領(lǐng)域的各種應用。我司英尚微電子everspin代理,主要提供用戶(hù)各種容量大小的MRAM芯片產(chǎn)品,提供完善的產(chǎn)品技術(shù)和解決方案。
Everspin Technologies宣布已修訂與GLOBALFOUNDRIES的STT-MRAM聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議（JDA），以為高級12nm FinFETMRAM解決方案的未來(lái)項目設定條件。Everspin協(xié)議包括40nm，28nm和22nm工藝，現在還包括12nm。
Everspin 1Gb STT-MRAM芯片照片
GF最近宣布已在其22FDX平臺上實(shí)現了嵌入式MRAM（eMRAM）的初步生產(chǎn)。
Everspin MRAM 128Kb
Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | Order Multiple /Tray | MOQ / Tray | MOQ / T&R | 128Kb | 16Kx8 | MR25H128ACDF | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 | 128Kb | 16Kx8 | MR25H128ACDFR | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 | 128Kb | 16Kx8 | MR25H128APDF | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 | 128Kb | 16Kx8 | MR25H128APDFR | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 | 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDF | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 1,140 | 4,000 | 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 1,140 | 4,000 |
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