Vishay推出采用0.6mm超低外形的熱增強Thin PowerPAK SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內，新的SiA444DJT實(shí)現了N溝道MOSFET當中業(yè)內最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導通電阻。
如果手持設備需要比標準0.8mm更薄的N溝道MOSFET，高度為0.6mm的SiA444DJT可以滿(mǎn)足要求，其高度比次薄的2mm x 2mm器件小13%，比標準的0.8mm高度小19%。此外，該MOSFET在10V和4.5V下具有17mΩ和22mΩ的低導通電阻，最大導通電阻與柵極電荷乘積是衡量MOSFET在DC/DC轉換器應用中的優(yōu)值系數(FOM)，該器件在10V和4.5V下具有170mΩ-nC和110mΩ-nC的業(yè)內最低FOM。 SiA429DJT在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下具有20.5mΩ、27mΩ、36mΩ和60mΩ的業(yè)內最低導通電阻，足以勝任應用對更薄P溝道器件的要求。該器件在1.8V下的導通電阻比最接近的競爭器件小12%，包括標準0.8mm外形的MOSFET和所有2mm x 2mm的P溝道MOSFET。對于手持式電子設備，SiA429DJT和SiA444DJT更低的導通電阻意味著(zhù)更低的傳導損耗，從而延長(cháng)在充電周期之間的電池壽命。 SiA444DJT和SiA429DJT所采用的超薄Thin PowerPAK SC-70封裝針對手機、智能手機、MP3播放器、數碼相機、電子書(shū)和平板電腦等小型手持式電子設備進(jìn)行了優(yōu)化。在這些設備中，SiA444DJT可用于高頻DC/DC轉換器，而SiA429DJT是負載開(kāi)關(guān)或充電開(kāi)關(guān)的理想之選，還可以在DC/DC降壓轉換器應用中用作高邊開(kāi)關(guān)。 這些MOSFET經(jīng)過(guò)了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規定及RoHS指令2002/95/EC。 新款SiA444DJT和SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。 |
