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在所有常年興起的記憶中，MRAM似乎最有可能瀕臨大規模，廣泛采用。這是否會(huì )很快發(fā)生取決于制造的進(jìn)步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統。 MRAM以及PCRAM和ReRAM已經(jīng)達到了一個(gè)臨界點(diǎn)，在更多應用中它比以往任何時(shí)候都有意義。然而，從工藝和材料角度來(lái)看，它的確面臨著(zhù)一系列制造挑戰，因為它使用的材料和工藝與傳統CMOS制造不同。 目前MRAM是在單獨的工廠(chǎng)中作為[線(xiàn)的后端]（BEOL）工藝制造的。需要傳統的CMOS制造中不使用的新設備，例如離子束蝕刻和新的濺射靶。為了降低嵌入式MRAM產(chǎn)品的成本，制造需要進(jìn)入CMOS晶圓廠(chǎng)，并成為常規設備制造的一部分。 除了將MRAM進(jìn)一步整合到制造鏈中之外，與其他半導體制造工藝一樣，質(zhì)量控制和良率提高將是一個(gè)持續的挑戰和機遇，而且事實(shí)是所有大型半導體代工廠(chǎng)都已將MRAM存儲器作為一種選擇。嵌入式產(chǎn)品意義重大。通過(guò)將MRAM集成到其嵌入式產(chǎn)品中，并將MRAM大量應用于常規設備制造中，將解決產(chǎn)量和質(zhì)量問(wèn)題，并且用于MRAM生產(chǎn)的獨特工具將變得更加普遍，并將更多地嵌入到代工生產(chǎn)中。這將降低成本并提高可用性。 Applied Materials專(zhuān)門(mén)解決MRAM所特有的挑戰，包括對新型材料的需求。它已將Endura平臺從單一處理系統發(fā)展為集成處理系統，并將其作為包括MRAM在內的新興存儲器的材料工程基礎的一部分。 MRAM的最大制造挑戰與堆棧的復雜性和所需的層數（超過(guò)30層）有關(guān)。之所以如此復雜，是因為這些層有多種用途。從根本上說(shuō)，MRAM基本上由狹小的磁鐵組成，因此需要能夠保持一定方向（包括底部參考層）不受任何外部磁場(chǎng)影響的磁性材料。 該堆棧還有很多實(shí)質(zhì)性方面，有幾層用作阻擋層或種子層，然后是制造隧道結所固有的非常薄的MgO層，這是MRAM堆棧的核心。由于這個(gè)障礙非常薄，因此存在容易被破壞的風(fēng)險。它需要許多層，許多材料的能力。需要具有這樣的精度，以便可以準確沉積正確的厚度。 因為沉積質(zhì)量對MRAM器件本身的性能至關(guān)重要，而且總的來(lái)說(shuō)，代工廠(chǎng)已經(jīng)創(chuàng )建了工具集。使MRAM投入生產(chǎn)。這有助于創(chuàng )建一個(gè)環(huán)境，使公司可以開(kāi)始專(zhuān)門(mén)設計用于人工智能和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應用程序的MRAM設備，而持久性，電源門(mén)控和電源管理至關(guān)重要。 MRAM在此具有一些獨特的功能。 它的功能可能導致MRAM替換現有的內存（例如sram）或一起創(chuàng )建新的用例。尋求使MRAM盡可能類(lèi)似于SRAM，因為它提供了相同的價(jià)值主張，但在相同的占用空間內具有三到四倍的內存，而不會(huì )帶來(lái)SRAM帶來(lái)的任何泄漏。盡管持續提煉材料很重要，但自旋存儲器正在采用一種適用于任何磁性隧道結的電路級方法，這使其能夠在耐久性方面提高多個(gè)數量級，從而提高了性能。 Everspin Technologies 是設計制造離散和嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領(lǐng)導者，其市場(chǎng)和應用領(lǐng)域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM在數據中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車(chē)和運輸市場(chǎng)中部署了超過(guò)1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為全球MRAM用戶(hù)奠定了最強大，增長(cháng)最快的基礎。Everspin代理宇芯電子為用戶(hù)提供產(chǎn)品技術(shù)指導以及解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。 |
