ISSI異步SRAM存儲芯片IS61LV25616AL功能簡(jiǎn)介

發(fā)布時(shí)間:2020-8-3 16:17    發(fā)布者:英尚微電子
關(guān)鍵詞: IS61LV25616AL , ISSI , 異步SRAM , ISSI代理商
IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量為256Kx 16bits的且引腳功能完全兼容的4Mb的異步SRAM。也是一款大容量且存儲時(shí)間相對較短的存儲器。對其控制要求相對簡(jiǎn)單。 由一個(gè)高速、4,194,304 位的靜態(tài)RAM,可組成262,144個(gè)字(16位)。該器件由ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造而成。將這種高可靠性的處理技術(shù)與創(chuàng )新的電路設計技術(shù)相結合,就產(chǎn)生了高性能和低功耗的IS61LV25616AL器件。ISSI代理英尚微電子提供完善的產(chǎn)品解決方案以及技術(shù)指導等一體系產(chǎn)品服務(wù)。

特性
●高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 10,12ns
●CMOS低功耗工作
●低等待模式功率:小于CMOS 5mA (典型值)的等待電流
●TTL兼容接口電平
●單個(gè)3.3V電源
●完全靜態(tài)操作:無(wú)需時(shí)鐘和刷新
●三態(tài)輸出.
●高低字節數據控制
●可用的工業(yè)級溫度



IS61LV25616AL存儲器的結構框圖




當OE為高電平(不選)時(shí),器件處于等待模式,功耗隨著(zhù)CMOS輸入電平-起降低。

芯片使能輸入CE和輸出使能輸入OE可方便實(shí)現存儲器的擴展。低電平有效的寫(xiě)使能( WE )控制著(zhù)存儲器的寫(xiě)和讀操作。高字節(UB)和低字節(LB )控制信號控制著(zhù)對數據字節的訪(fǎng)問(wèn)。

IS61LV25616AL含有以下封裝形式: JEDEC 標準44腳400-mil SOJ.44腳TSOPTypelI.44 腳LQFP和48腳MiniBGA(8mmX10mm)。

管腳配置



SRAM的主要特性

高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間10,12ns ;CMOS低功耗工作;低等待模式功率小于CMOS 5mA典型值的等待電流; TTL兼容接口電平;單個(gè)3.3V 電源;完全靜態(tài)操作無(wú)需時(shí)鐘和刷新;三態(tài)輸出;高低字 節數據控制;可用的工業(yè)級溫度SRAM的生產(chǎn)廠(chǎng)商很多,但是所生產(chǎn)的SRAM的內部結構大同小異。
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英尚微電子 發(fā)表于 2020-8-3 16:18:15
IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量為256Kx 16bits的且引腳功能完全兼容的4Mb的異步SRAM。也是一款大容量且存儲時(shí)間相對較短的存儲器。
英尚微電子 發(fā)表于 2020-8-3 16:18:54
IS61LV25616AL由一個(gè)高速、4,194,304 位的靜態(tài)RAM,可組成262,144個(gè)字(16位)。該器件由ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造而成。將這種高可靠性的處理技術(shù)與創(chuàng )新的電路設計技術(shù)相結合,就產(chǎn)生了高性能和低功耗的IS61LV25616AL器件。ISSI代理英尚微電子提供完善的產(chǎn)品解決方案以及技術(shù)指導等一體系產(chǎn)品服務(wù)。
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