傳統存儲器和新興存儲器應用

發(fā)布時(shí)間:2020-11-23 16:26    發(fā)布者:宇芯電子
關(guān)鍵詞: 異步SRAM , FRAM , NOR閃存
舊版存儲不再是使用壽命短的低端設備,因為主要供應商都將精力集中在最新和最重要的產(chǎn)品上。隨著(zhù)越來(lái)越多的智能設備和融合了AI的邊緣計算以及呈指數增長(cháng)的物聯(lián)網(wǎng),“持久”可能是這些根深蒂固的記憶的更好標簽。

過(guò)去的DRAM不再用于較小的系統,因為它們需要DRAM控制器。SRAM進(jìn)入了內存需求小的系統。DRAM進(jìn)入更大的存儲器,并伴隨著(zhù)用于更大存儲器的控制器。

傳統存儲器供應商提供可預測的價(jià)格和長(cháng)期客戶(hù)支持很重要,因為新設計仍然使用較舊的存儲器。例如早期的DDR,SRAM和NOR閃存已用于醫療,工業(yè)和智能家居應用中。

對于非智能手機和平板電腦設計(例如醫療設備和工業(yè)平臺),對DDR3內存的需求正在增長(cháng)。在SDRAM中成長(cháng),在DDR1中成長(cháng),由于DDR3將在DDR2上取得巨大的增長(cháng)。

對舊版內存的需求并不總是源于舊設備中更換的內存。有一些針對醫療和工業(yè)系統的處理器供應商仍然圍繞DDR3技術(shù)進(jìn)行設計。該設備不需要DDR4,這就是為什么要開(kāi)發(fā)具有不同內存要求的不同處理器的原因。

傳統存儲器技術(shù)并不排除創(chuàng )新,這是賽普拉斯半導體等公司對“傳統”標簽持謹慎態(tài)度的原因,而寧愿將早期的存儲器規范稱(chēng)為“持久性”。即使高性能計算和超大規模擴展,人工智能和機器學(xué)習正在推動(dòng)采用最新的DDR存儲器,NAND閃存和高帶寬存儲器,但數據仍在推動(dòng)創(chuàng )新。當使用其傳感器和邊緣節點(diǎn)進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)時(shí),需求并沒(méi)有發(fā)生太大變化。人們仍然想要低功耗的東西。人們仍然想要可靠的東西,并且可以按預期工作。

這種需求正在扭轉NOR閃存等技術(shù)的衰落,NOR閃存技術(shù)在汽車(chē)應用中獲得了新的生命。物聯(lián)網(wǎng)和其他新興領(lǐng)域(如可穿戴設備)也對低功耗存儲器產(chǎn)生了要求,這些存儲器具有很小的占地面積,并且可靠且安全。

網(wǎng)絡(luò )邊緣也在創(chuàng )造新的存儲器應用,包括面向消費者和工業(yè)應用的醫療保健和分布式IoT傳感器節點(diǎn)。數十億個(gè)IoT傳感器節點(diǎn)將需要數十億個(gè)IoT傳感器節點(diǎn),而不是千兆字節的內存,而是需要針對IoT應用程序(包括NOR閃存,傳統的異步SRAM或FRAM)進(jìn)行高度優(yōu)化的專(zhuān)用存儲器。針對用例和應用程序優(yōu)化了這些技術(shù),而優(yōu)化則是通過(guò)最小化功耗或最小化占位面積或獲得適合該應用程序的正確密度大小來(lái)實(shí)現的。存儲器技術(shù)也可以針對新興應用進(jìn)行調整?梢詣(chuàng )建全新的產(chǎn)品組合。

邊緣計算和5G基礎設施及汽車(chē)都對低功耗存儲器(例如NOR閃存)有要求,從而增強了賽普拉斯的“持久”存儲間距。

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宇芯電子 發(fā)表于 2020-11-23 16:27:03
對于非智能手機和平板電腦設計(例如醫療設備和工業(yè)平臺),對DDR3內存的需求正在增長(cháng)。在SDRAM中成長(cháng),在DDR1中成長(cháng),由于DDR3將在DDR2上取得巨大的增長(cháng)。
宇芯電子 發(fā)表于 2020-11-24 14:28:03
對舊版內存的需求并不總是源于舊設備中更換的內存。有一些針對醫療和工業(yè)系統的處理器供應商仍然圍繞DDR3技術(shù)進(jìn)行設計。該設備不需要DDR4,這就是為什么要開(kāi)發(fā)具有不同內存要求的不同處理器的原因。
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