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XRAM是一種新的存儲器體系結構，旨在以具有競爭力的價(jià)格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結構，顯著(zhù)提高了存儲器密度，性能并簡(jiǎn)化了用戶(hù)界面。 XM8A51216是星憶存儲科技公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節）容量的CMOS靜態(tài)內存芯片。該國產(chǎn)SRAM芯片具有如下幾個(gè)特點(diǎn)： ⚫高速。具有最高訪(fǎng)問(wèn)速度10/12ns。 ⚫低功耗。 ⚫TTL電平兼容。 ⚫全靜態(tài)操作。不需要刷新和時(shí)鐘電路。 ⚫三態(tài)輸出。 ⚫字節控制功能。支持高/低字節控制。 XM8A51216功能框圖 圖中A0~18為地址線(xiàn)，總共19根地址線(xiàn)（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15為數據線(xiàn)，總共16根數據線(xiàn)。CEn是芯片使能信號，低電平有效；OEn是輸出使能信號，低電平有效；WEn是寫(xiě)使能信號，低電平有效；BLEn和BHEn分別是高字節控制和低字節控制信號； XM8A51216原理圖 XM8A51216在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲器接口。代理商英尚微電子支持產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持及解決方案。 要寫(xiě)入設備，請將芯片使能（CE）和寫(xiě)使能（WE）輸入設為低電平。如果字節低使能（BLE）為低，則來(lái)自I/O引腳（DQ0至DQ7）的數據被寫(xiě)入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。如果字節高使能（BHE）為低電平，則來(lái)自I/O引腳（DQ8至DQ15）的數據將寫(xiě)入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。要從器件讀取，請將芯片使能（CE）和輸出使能（OE）設為低電平，同時(shí)將寫(xiě)入使能（WE）設為高電平。如果字節低使能（BLE）為低，則地址引腳指定的存儲器位置中的數據出現在DQ0至DQ7上。如果字節高使能（BHE）為低，則來(lái)自存儲器的數據出現在DQ8到DQ15上。 取消選擇器件（CE），禁用輸出（OEHIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLEHIGH）或以下操作時(shí)，輸入或輸出引腳（DQ0至DQ15）處于高阻抗狀態(tài)寫(xiě)操作（CE和WELOW）。突發(fā)模式引腳（MODE）定義突發(fā)序列的順序。當置為高電平時(shí)，選擇交錯的突發(fā)序列。當拉低時(shí)，選擇線(xiàn)性突發(fā)序列。 
XM8A51216V33(8M).pdf
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