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美國ISSI公司是為汽車(chē)和通信，數字消費者以及工業(yè)和醫療主要市場(chǎng)設計開(kāi)發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年來(lái)對精密半導體存儲器的需求已從個(gè)人計算機市場(chǎng)擴展到了汽車(chē)，通信，數字消費，工業(yè)和醫療市場(chǎng)。這些產(chǎn)品需要增加內存內容，以幫助處理大量數據。 ISSI IS61WV25616BLL是高速的4Mbit靜態(tài)SRAM，它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng )新的電路設計技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的器件。當CE為高電平（取消選擇）時(shí)，器件將進(jìn)入待機模式，在該模式下，可通過(guò)CMOS輸入電平降低功耗。通過(guò)使用芯片使能和輸出使能輸入CE和OE，可以輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫(xiě)入和讀取。數據字節允許高字節（UB）和低字節（LB）訪(fǎng)問(wèn)。IS61WV25616BLL封裝在JEDEC標準的44引腳TSOP TypeII和48引腳Mini BGA（6mmx8mm）中。ISSI代理英尚微電子支持提供樣品及產(chǎn)品技術(shù)支持等服務(wù)。 引腳封裝 IS61WV25616BLL特征 高速：（IS61WV25616BLL） •高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間：8、10、20ns •低有功功率：85mW（典型值） •低待機功率：7mW（典型值） CMOS待機 •高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間：25、35、45ns •低有功功率：35mW（典型值） •低待機功率：0.6mW（典型值） CMOS待機 •單電源 -VDD2.4V至3.6V（IS61/64WV25616Bxx） •完全靜態(tài)操作：無(wú)需時(shí)鐘或刷新 •三態(tài)輸出 •高低字節數據控制 •工業(yè)和汽車(chē)溫度支持 •無(wú)鉛可用 ISSI公司跨各種終端市場(chǎng)對高性能存儲設備的需求不斷增長(cháng)，這為高性能存儲集成電路的集中供應商提供了巨大的機會(huì )。以開(kāi)發(fā)領(lǐng)先的工藝技術(shù)，并在行業(yè)升級周期中更安全地獲取晶圓產(chǎn)能。并為滿(mǎn)足客戶(hù)需求提供長(cháng)期供應。繼續開(kāi)發(fā)和提供高性能產(chǎn)品。為主要市場(chǎng)開(kāi)發(fā)精選的非內存產(chǎn)品。為了增加產(chǎn)品的多樣化并提供SRAM，DRAM和閃存專(zhuān)業(yè)知識相輔相成的產(chǎn)品，開(kāi)發(fā)精選的非內存產(chǎn)品以供主要市場(chǎng)使用。 |
