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新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn)，又有非失易失性特征，同時(shí)克服了非易失性寫(xiě)入速度慢且寫(xiě)入次數有限等缺點(diǎn)。 鐵電隨機存儲器（FRAM) FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機存取存儲器(RAM)和非易失性存儲產(chǎn)品的特性。 當一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著(zhù)電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)。當原子移動(dòng)時(shí)，它通過(guò)一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內部電路感應到電荷擊穿并設置存儲器。移去電場(chǎng)后，中心原子保持不動(dòng)，存儲器的狀態(tài)也得以保存FRAM存儲器不需要定時(shí)刷新，掉電后數據立即保存，它速度很快，且不容易寫(xiě)壞。 FRAM存儲器技術(shù)和標準的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放宇CMOS襯層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過(guò)程。 FM1808外部引腳FRAM產(chǎn)品有兩種基本形式，一種是并行結構，一種是申行結構。并行結構的FRAM與容量相同的sram芯片引腳兼容，串行結構的FRAM與同容量的串行EEPROM引腳兼容。 1.非易失性:掉電后數據能保存10年,所有產(chǎn)品都是工業(yè)級 2.擦寫(xiě)次數多5V供電的FRAM的擦寫(xiě)次數100億次低電壓的FRAM的擦寫(xiě)次數為1億億次 3.速度快串口總線(xiàn)的FRAM的CLK的頻率高達20M并且沒(méi)有10MS的寫(xiě)的等待周期并口的訪(fǎng)問(wèn)速度70NS 4.功耗低靜態(tài)電流小于10UA讀寫(xiě)電流小于150UA. 磁性隨機存儲器（MRAM) MRAM工作的基本原理與硬盤(pán)驅動(dòng)器類(lèi)似，與在硬盤(pán)上存儲數據一樣，數據以磁性的方商為依據，存儲為0或1。它存儲的數據具有永久性，直到被外界的磁場(chǎng)影響，才會(huì )改變這個(gè)磁性數據。因為運用磁性薦儲數據，所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。 但是MRAM的磁介質(zhì)與硬盤(pán)有著(zhù)很大的不同。它的磁密度要大得多，也相當薄，因此產(chǎn)生的自感和阻尼要少得多，這也是MRAM速度天天快于硬盤(pán)的重要原因。當進(jìn)行讀寫(xiě)操作時(shí)，MRAM中的磁極方問(wèn)控制單元會(huì )使用相反的磁力方向，以使數據流水線(xiàn)能同時(shí)進(jìn)行讀寫(xiě)操作，不延誤時(shí)間。 與面前流行的DDR或是RDRAM相比，MRAM的優(yōu)勢依然明顯。除了非易失性外，僅在速度、功耗和體積上，MRAM也有較大的優(yōu)勢。 256KB MRAM的通用存儲器芯片，其結構是16KB×16，讀寫(xiě)周期小于50ns，在3伏特電壓下讀功耗為24mW。隨著(zhù)技術(shù)的不斷革新，芯片存儲能力將進(jìn)一步提升，而讀寫(xiě)周期將控制在10ns以?xún)�，功耗將小�?mW。 |
