歐洲研究機構IMEC與其合作伙伴最近成功在200mm規格硅襯底上制造出了高質(zhì)量的GaN/AlGaN異質(zhì)結構層，雙方目前正合作研究基于氮化鎵材料的 HEMT（High electron mobility transistor：高電子遷移率晶體管）異質(zhì)結構晶體管技術(shù)。
這次成功在200mm硅襯底上制出高質(zhì)量GaN HEMT，標志著(zhù)在將功率器件引入200mm規格芯片廠(chǎng)進(jìn)行高效率生產(chǎn)方面取得了里程碑式的成就。（過(guò)去此類(lèi)器件一般是在紅寶石襯底上制成的。） 這款基于GaN的MIS-HEMT(金屬-絕緣層-半導體HEMT)在制作時(shí)使用了應用材料公司生產(chǎn)的MOCVD（金屬有機物化學(xué)氣相沉積）設備，不過(guò)大部分生產(chǎn)設備均是采用標準的常規CMOS制造設備。 一般來(lái)說(shuō)，功率管器件的歐姆接觸觸點(diǎn)以及柵極是采用金材料制作，但是在基于GaN的HEMT中如果仍采用金材料制作這些結構則必須采用特殊的CMOS制程工藝。為了避免采用特殊工藝，IMEC在制作GaN HEMT的歐姆接觸時(shí)，采用的是非金材料，同時(shí)將HEMT管子的肖特基型柵極改為非金金屬-絕緣層-半導體結構（MIS）柵極.MIS柵極不僅可以避免采用特殊工藝，而且相比常規HEMT器件（一般采用肖特基勢壘柵極結構）其柵漏電電流也低得多（因為柵極不是與溝道直接接觸，而是中間存在絕緣層）。 |
