英飛凌的最新一代高壓CoolMOS MOSFET取得了又一項創(chuàng )新，設立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì )（5月17日至19日）上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾（EMI），提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。
650V CoolMOS CFD2集快速開(kāi)關(guān)超級結技術(shù)MOSFET的優(yōu)越性于一身，包括更出色的輕載效率、更低柵極電荷、易于應用和出眾的可靠性等。此外，該產(chǎn)品具備更低單位面積通態(tài)電阻和更低容性開(kāi)關(guān)損耗，允許輕松控制開(kāi)關(guān)行為，并且提供了當前市場(chǎng)上最結實(shí)耐用的體二極管。相比于前代產(chǎn)品600V CFD，新推出的CoolMOS CFD2產(chǎn)品還降低了系統成本�？傮w而言，它是適用于諧振開(kāi)關(guān)拓撲的最優(yōu)選擇。 英飛凌預計，650V CoolMOS CFD2的最大潛在市場(chǎng)包括太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器、照明裝置和用于通信系統的開(kāi)關(guān)電源（SMPS）等。 供貨情況及定價(jià) IPW65R080CFD（650V、導通電阻80毫歐姆、TO247封裝）樣片現已開(kāi)始供貨。起訂量為1萬(wàn)顆時(shí)，單價(jià)為6.00美元。 關(guān)于全新CFD2產(chǎn)品家族的更多信息，敬請登錄www.infineon.com/cfd2 |
