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恩智浦半導體（NXP）推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專(zhuān)門(mén)針對諸如移動(dòng)設備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設計。 作為業(yè)界首款集成低VCE (sat) BISS晶體管和Trench MOSFET的二合一型產(chǎn)品，PBSM5240PF不但能節省PCB板空間，而且具有卓越的電氣性能。 傳統的小信號晶體管 (BISS)/MOSFET解決方案通常需要采用兩個(gè)封裝，相比之下PBSM5240PF可減少超過(guò)50%的電路板占用面積，使封裝高度降低10%以上。此外，DFN2020-6 (SOT1118) 封裝還集成了一個(gè)散熱器，令散熱性能提高了25%，從而可支持高至2A的電流，并因此降低了能耗。 PBSM5240PF可用作便攜式電池充電電路的一部分，適用于手機、MP3播放器以及其他便攜式設備。它也可被用于那些要求最佳散熱性能、較高電流支持和占用面積小的負載開(kāi)關(guān)或電池驅動(dòng)設備中。 技術(shù)參數 PBSM5240PF 小信號晶體管（BISS）和N溝道 Trench MOSFET的主要特性包括： ·集電極大電流能力（IC和ICM） ·集電極大電流下?lián)碛懈唠娏髟鲆?(hFE) ·產(chǎn)生熱量小，能效高 ·極低的集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCEsat） ·封裝占位僅為2 x 2 mm，可減少印刷電路板尺寸 上市時(shí)間 恩智浦PBSM5240PF突破性小信號(BISS)晶體管和N通道Trench MOSFET即將通過(guò)全球主要經(jīng)銷(xiāo)商供貨。 
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