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在現代的通信及基于FPGA的圖像數據處理系統中,經(jīng)常要用到大容量和高速度的存儲器。SDRAM有一個(gè)同步接口，在響應控制輸入前會(huì )等待一個(gè)時(shí)鐘信號，這樣就能和計算機的系統總線(xiàn)同步。在各種的隨機存儲器件中，SDRAM的價(jià)格低,體積小和速度快,容量大等優(yōu)點(diǎn)而獲得大家的青睞。 SDRAM功耗來(lái)源 SDRAM內部一般分為多個(gè)存儲體,通過(guò)行、列地址分時(shí)復用,系統地址總線(xiàn)對不同存儲體內不同頁(yè)面的具體存儲單元進(jìn)行尋址。SDRAM每個(gè)存儲體有即激活狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)2個(gè)狀態(tài),。在一次讀寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)完畢后,維持存儲體激活狀態(tài)稱(chēng)為開(kāi)放的頁(yè)策略(open-page policy) ,頁(yè)面寄存器中保存已經(jīng)打開(kāi)的行地址,直到它不得不被關(guān)閉,比如要執行刷新命令等;訪(fǎng)問(wèn)完畢后關(guān)閉存儲體稱(chēng)為封閉的頁(yè)策略(close-page policy)。 為了更好地決定選擇哪種策略，需要熟悉SDRAM 功耗的特點(diǎn)。SDRAM的功耗主要有激活關(guān)閉存儲體、讀寫(xiě)和刷新3個(gè)來(lái)源。在大部分程序中,激活關(guān)閉存儲體引起的功耗占到訪(fǎng)存操作的總功耗的一半以上I3。圖1給出了對同一SDRAM行進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí)，采用開(kāi)放的頁(yè)策略和封閉的頁(yè)策略的功耗比較(假設激活關(guān)閉存儲體一次消耗功耗為1) ,經(jīng)計算可知,若連續的幾個(gè)讀寫(xiě)操作在同一行,采用開(kāi)放的頁(yè)策略可以節省功耗。 圖1開(kāi)放的頁(yè)策略和關(guān)閉的頁(yè)策略的功耗比較 根據上面對SDRAM功耗的特點(diǎn)的分析可知，盡量減少激活/關(guān)閉存儲體引起的附加功耗開(kāi)銷(xiāo),是優(yōu)化SDRAM存儲系統功耗的根本,另外不能忽視一直處于激活狀態(tài)的存儲體帶來(lái)的功耗。 |
