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賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結合，可提供快速的異步讀寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍內具有20年的數據保留。具有控制器的典型NV-SRAM接口如圖1所示。 圖1.帶微控制器的NV-SRAM接口 高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)，并且可以像標準SRAM中一樣無(wú)限次地寫(xiě)入或讀取NV-SRAM。如果斷電則利用存儲在與NV-SRAM的VCAP引腳相連的小電容器中的電荷將SRAM中保存的數據傳輸到與每個(gè)SRAM單元集成的非易失性元件。 NV-SRAM VCAP引腳上需要的電容器只有幾十μF，典型值為68 μF（有關(guān)VCAP的允許范圍，并在上電期間通過(guò)內部充電電路進(jìn)行充電。 VCAP上存儲的電荷足以在掉電期間將SRAM數據復制到非易失性元件（稱(chēng)為存儲操作）。 此存儲操作對應用程序是透明的，因為當VCC電源在閾值水平（VSWITCH）以下故障時(shí)會(huì )自動(dòng)執行該存儲操作。數據從SRAM到集成非易失性元件的并行傳輸意味著(zhù)存儲（將SRAM數據傳輸到非易失性元件）所花費的時(shí)間等于一次EEPROM寫(xiě)（字節寫(xiě)或頁(yè)寫(xiě)）操作。上電時(shí)非易失性數據會(huì )自動(dòng)傳送回SRAM，這稱(chēng)為RECALL操作。這使NV-SRAM成為真正的非易失性存儲器，可以在斷電時(shí)將數據保存在其非易失性元素中，而無(wú)需任何外部電源備份，例如電池或Supercaps。 NV-SRAM中的STORE和RECALL操作也可以通過(guò)軟件命令按需執行。 NV-SRAM具有許多其他功能，新應用程序可以使用這些功能。 與其他現有電路解決方案相比，賽普拉斯的NV-SRAM提供了最快，最可靠的非易失性解決方案。 |
