|
賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開(kāi)銷(xiāo)和系統級可靠性問(wèn)題。 CY15B104Q-LHXI是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為524,288×8位，可使用行業(yè)標準的串行外圍設備接口（SPI）總線(xiàn)進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。FRAM的功能操作類(lèi)似于串行閃存和串行EEPROM。CY15B104Q-LHXI與具有相同引腳輸出的串行閃存或EEPROM之間的主要區別在于FRAM的優(yōu)越寫(xiě)入性能，高耐用性和低功耗。CYPRESS代理英尚微提供相關(guān)技術(shù)支持。 8引腳TDFN引腳排列 與串行閃存和EEPROM不同，CY15B104Q-LHXI以總線(xiàn)速度執行寫(xiě)操作。沒(méi)有寫(xiě)入延遲。每個(gè)字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫(xiě)入存儲器陣列。下一個(gè)總線(xiàn)周期可以開(kāi)始而無(wú)需數據輪詢(xún)。與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有顯著(zhù)的寫(xiě)入耐久性。CY15B104Q-LHXI能夠支持1014個(gè)讀/寫(xiě)周期，或比EEPROM多1億倍的寫(xiě)周期。 這些功能使CY15B104Q-LHXI非常適合需要頻繁或快速寫(xiě)入的非易失性存儲器應用。例子包括數據收集（可能是關(guān)鍵的寫(xiě)周期數）到要求苛刻的工業(yè)控制，在這些情況下，串行閃存或EEPROM的長(cháng)寫(xiě)入時(shí)間可能會(huì )導致數據丟失。 CY15B104Q-LHXI為串行EEPROM或閃存的用戶(hù)提供了實(shí)質(zhì)性的好處，可以作為硬件的替代產(chǎn)品。CY15B104Q-LHXI鐵電存儲器使用高速SPI總線(xiàn)，從而增強了FRAM技術(shù)的高速寫(xiě)入能力。該設備包含一個(gè)只讀的設備ID，該ID允許主機確定制造商，產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。在–40℃至+85℃的工業(yè)溫度范圍內保證器件的規格。 記憶體架構 當訪(fǎng)問(wèn)CY15B104Q-LHXI時(shí)，用戶(hù)尋址每個(gè)8個(gè)數據位的512K單元。這八個(gè)數據位被串行移入或移出。使用SPI協(xié)議訪(fǎng)問(wèn)地址，該協(xié)議包括一個(gè)芯片選擇（允許總線(xiàn)上有多個(gè)設備），一個(gè)操作碼和一個(gè)三字節地址。地址范圍的高5位是“無(wú)關(guān)”值。19位的完整地址唯一地指定每個(gè)字節地址。 CY15B104Q-LHXI FRAM的大多數功能要么由SPI接口控制，要么由板載電路處理。存儲器操作的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間基本上為零，超出了串行協(xié)議所需的時(shí)間。也就是說(shuō)，以SPI總線(xiàn)的速度讀取或寫(xiě)入存儲器。與串行閃存或EEPROM不同，由于以總線(xiàn)速度進(jìn)行寫(xiě)操作，因此無(wú)需輪詢(xún)設備是否處于就緒狀態(tài)。到可以將新的總線(xiàn)事務(wù)轉移到設備中時(shí)，寫(xiě)操作就完成了。界面部分將對此進(jìn)行詳細說(shuō)明。 串行外設接口（SPI）總線(xiàn) CY15B104Q-LHXI是SPI從設備，工作速度高達40MHz。該高速串行總線(xiàn)提供了與SPI主設備的高性能串行通信。許多常見(jiàn)的微控制器都具有允許直接接口的硬件SPI端口。對于不使用微控制器的普通端口引腳，使用普通端口引腳來(lái)模擬端口很簡(jiǎn)單。 CY15B104Q工作在SPI模式0和3。 |
| 賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開(kāi)銷(xiāo)和系統級可靠性問(wèn)題。 |
