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FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點(diǎn)。相對于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。 功能比較
串行FRAM與EEPROM/閃存 與傳統的非易失性存儲器如EEPROM和Flash相比，FRAM具有寫(xiě)入速度更快、耐用性更高和功耗更低的優(yōu)勢。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有優(yōu)勢； 性能改進(jìn) 由于寫(xiě)入速度快，即使在突然斷電的情況下，鐵電存儲器也能以寫(xiě)入方式存儲數據。不僅如此，FRAM可以比EEPROM和Flash存儲器更頻繁地記錄數據。寫(xiě)入數據時(shí)，EEPROM和閃存需要高電壓，因此比FRAM消耗更多功率。因此，通過(guò)使用FRAM，可以延長(cháng)電池供電的小型設備的電池壽命。 總之，FRAM是； ·能夠在突然斷電時(shí)以寫(xiě)入方式存儲數據 ·可以進(jìn)行頻繁的數據記錄 ·能夠延長(cháng)電池供電設備的電池壽命 總成本降低 在工廠(chǎng)對每個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行參數寫(xiě)入的情況下，鐵電存儲器有助于降低制造成本，因為與EEPROM和閃存相比，FRAM可以縮短寫(xiě)入時(shí)間。此外，FRAM可以給您一個(gè)芯片解決方案，而不是多芯片解決方案，例如2個(gè)芯片由EEPROM+Flash組成，或者3個(gè)設備由EEPROM+SRAM+電池組成。 ·縮短出廠(chǎng)參數寫(xiě)入時(shí)間 ·減少最終產(chǎn)品中使用的零件數量 并行FRAM與SRAM 具有并行接口的鐵電存儲器，兼容電池備份SRAM，可以替代SRAM。通過(guò)將SRAM替換為FRAM，客戶(hù)希望獲得以下優(yōu)勢。 總成本降低 使用SRAM的系統需要保持電池狀態(tài)檢查。通過(guò)更換為FRAM，客戶(hù)可以從電池檢查的維護負擔中解脫出來(lái)。此外，FRAM不需要SRAM所需的電池插座和防回流二極管及其空間。FRAM的單芯片解決方案可以減少空間和成本。 ·免維護；無(wú)需更換電池 ·設備小型化；可以減少最終產(chǎn)品的許多零件 環(huán)保產(chǎn)品 廢舊電池成為工業(yè)廢棄物。通過(guò)用FRAM替換SRAM+電池，可以減少不必要的備用電池。 ·減少電池處理 |
