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FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開(kāi)銷(xiāo)和系統級可靠性問(wèn)題。 FM25V10-GTR是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上被組織為131,072×8位，并使用行業(yè)標準的串行外圍設備接口（SPI）總線(xiàn)進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。FRAM的功能操作類(lèi)似于串行閃存和串行EEPROM。FM25V10-GTR與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區別在于FRAM的優(yōu)越寫(xiě)入性能，高耐用性和低功耗。 與串行閃存和EEPROM不同，FM25V10-GTR以總線(xiàn)速度執行寫(xiě)操作。沒(méi)有寫(xiě)入延遲。每個(gè)字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫(xiě)入存儲器陣列。下一個(gè)總線(xiàn)周期可以開(kāi)始而無(wú)需數據輪詢(xún)。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有顯著(zhù)的寫(xiě)入耐久性。FM25V10-GTR能夠支持1014個(gè)讀/寫(xiě)周期，或比EEPROM多1億倍的寫(xiě)周期。 這些功能使FM25V10-GTR非常適合需要頻繁或快速寫(xiě)入的非易失性存儲器應用，例如數據收集（可能是關(guān)鍵的寫(xiě)入周期數）到苛刻的工業(yè)控制，而串行閃存或EEPROM的較長(cháng)寫(xiě)入時(shí)間會(huì )導致數據丟失。 FM25V10-GTR作為串行EEPROM或閃存的用戶(hù)，可作為硬件的替代品而獲得實(shí)質(zhì)性好處。FM25V10-GTR使用高速SPI總線(xiàn)，從而增強了FRAM技術(shù)的高速寫(xiě)入能力。FM25VN10提供了唯一的序列號，該序列號是只讀的，可用于識別電路板或系統。兩種設備都包含一個(gè)只讀的設備ID，主機可以通過(guò)該ID來(lái)確定制造商，產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。在–40℃至+85℃的工業(yè)溫度范圍內保證器件的規格。 耐力 FM25V10-GTR器件至少可以被訪(fǎng)問(wèn)1014次，可以進(jìn)行讀取或寫(xiě)入。 FeRAM存儲器具有讀取和還原機制。因此，對于存儲陣列的每次訪(fǎng)問(wèn)（讀取或寫(xiě)入），將按行施加耐久周期。 FRAM體系結構基于每個(gè)64位的16K行的行和列的陣列。整個(gè)行在內部訪(fǎng)問(wèn)一次，無(wú)論是讀取還是寫(xiě)入一個(gè)字節或全部八個(gè)字節。在耐久性計算中，該行中的每個(gè)字節僅被計數一次。下圖顯示了一個(gè)64字節重復循環(huán)的耐久性計算，該循環(huán)包括一個(gè)操作碼，一個(gè)起始地址和一個(gè)順序的64字節數據流。這將導致每個(gè)字節在整個(gè)循環(huán)中經(jīng)歷一個(gè)持久周期。即使在40 MHz時(shí)鐘速率下，FRAM的讀寫(xiě)持久性實(shí)際上也是無(wú)限的。 記憶操作 SPI接口具有高時(shí)鐘頻率，彰顯了FRAM技術(shù)的快速寫(xiě)入能力。與串行閃存和EEPROM不同，FM25V10-GTR可以以總線(xiàn)速度執行順序寫(xiě)入。不需要頁(yè)面寄存器，并且可以執行任何數量的順序寫(xiě)入。 唯一序列號（僅FM25VN10） FM25VN10器件包含一個(gè)只讀的8字節序列號。它可以用來(lái)唯一地標識電路板或系統。序列號包括一個(gè)40位唯一編號，一個(gè)8位CRC和一個(gè)16位編號，可以根據客戶(hù)的要求進(jìn)行定義。如果不要求客戶(hù)特定號碼，則16位客戶(hù)標識符為0x0000。 通過(guò)發(fā)出SNR操作碼（C3h）來(lái)讀取序列號。 8位CRC值可用于與控制器計算出的值進(jìn)行比較。如果兩個(gè)值匹配，則說(shuō)明從站和主站之間的通信沒(méi)有錯誤。該函數用于計算CRC值。為了執行計算，將7個(gè)字節的數據按照從該部分讀取的順序填充到內存緩沖區中，即字節7，字節6，字節5，字節4，字節3，字節2，字節1。序列號。計算是對7個(gè)字節執行的，結果應與8字節CRC值字節0的最后一個(gè)字節相匹配。 |
